| 主权项 |
1.一种半导体元件之闸极结构的制造方法,适用于一半导体基底,该半导体基底上形成有一闸绝缘层,该方法包括下列步骤:形成一多晶矽化金属闸极于该闸绝缘层之上,该多晶矽化金属闸极之上形成有一帽盖层,而该多晶矽化金属闸极包括一多晶矽层与一金属矽化物层;形成一氧化层于该多晶矽化金属闸极之该金属矽化物层的侧边部分;形成一共形缓冲层于该多晶矽化金属闸极与该半导体基底之上;以及形成一间隙壁于该多晶矽化金属闸极与该帽盖层之侧壁。2.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之闸极结构的制造方法,其中该闸绝缘层包括一氧化层。3.如申请专利范围第2项所述之半导体元件之闸极结构的制造方法,其中该闸绝缘层之形成方法包括热氧化法。4.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之闸极结构的制造方法,其中形成有一帽盖层于上方之该多晶矽化金属闸极的形成方法包括下列步骤:依序形成一多晶矽层、一金属阻障层、一金属矽化物层、一缓冲层,与一帽盖层于该闸绝缘层之上;图案化该闸绝缘层、该多晶矽层、该金属阻障层、该金属矽化物层、该缓冲层,与该帽盖层。5.如申请专利范围第4项所述之半导体元件之闸极结构的制造方法,其中该多晶矽层之形成方法包括低压化学气相沈积法。6.如申请专利范围第4项所述之半导体元件之闸极结构的制造方法,其中该金属矽化物层之材质包括矽化钛、矽化钽,与矽化钨。7.如申请专利范围第4项所述之半导体元件之闸极结构的制造方法,其中该金属矽化物层之形成方法包括物理气相沈积法。8.如申请专利范围第4项所述之半导体元件之闸极结构的制造方法,其中该金属矽化物层之形成方法包括溅镀沈积法。9.如申请专利范围第4项所述之半导体元件之闸极结构的制造方法,其中该金属阻障层之材质包括氮化钛。10.如申请专利范围第4项所述之半导体元件之闸极结构的制造方法,其中该金属阻障层之形成方法包括物理气相沈积法与化学气相沈积法。11.如申请专利范围第4项所述之半导体元件之闸极结构的制造方法,其中该缓冲层包括一氮氧化矽层。12.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之闸极结构的制造方法,其中该帽盖层包括一氮化矽层。13.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之闸极结构的制造方法,其中位于该金属矽化物层之侧边部分的该氧化层之形成方法包括热氧化法。14.如申请专利范围第13项所述之半导体元件之闸极结构的制造方法,其中之热氧化法包括热炉氧化法。15.如申请专利范围第13项所述之半导体元件之闸极结构的制造方法,其中之热氧化法包括快速热制程。16.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之闸极结构的制造方法,其中该共形缓冲层包括一氧化层。17.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之闸极结构的制造方法,其中该间隙壁之材质包括氮化矽。18.一种增加闸极结构之自行对准接触窗之边界厚度的方法,可应用于动态随机存取记忆体之制造上,该方法包括下列步骤:形成一多晶矽化金属闸极于一基底上,该多晶矽化金属闸极包括一多晶矽层与一金属矽化物层;形成一帽盖层于该多晶矽化金属闸极上;形成一缓冲氧化层于该多晶矽化金属闸极与该帽盖层之侧壁与该基底之上;形成一氧化层于该多晶矽化金属闸极之该金属矽化物层的侧边部分,该氧化层系由该缓冲氧化层与该金属矽化物层反应而得;形成一间隙壁于该多晶矽化金属闸极与该帽盖层之侧壁部分的该缓冲氧化层之外,形成源极/汲极区于该多晶矽化金属闸极之两侧部分的该基底中。19.如申请专利范围第18项所述之增加闸极结构之自行对准接触窗之边界厚度的方法,其中该金属矽化物层之材质包括矽化钛、矽化钽,与矽化钨。20.如申请专利范围第18项所述之增加闸极结构之自行对准接触窗之边界厚度的方法,其中该缓冲氧化层之形成方法为低压化学气相沈积法。图式简单说明:第一图A-第一图D所绘示为根据本发明之较佳实施例所得之闸极结构之制造方法之各步骤中,闸极结构之剖面图。 |
