| 主权项 |
1.一种可靠度测试装置,设置于一半导体基底上;该可靠度测试装置包括:绝缘结构,设置于该半导体基底上,定义出一主动区;一MOS电晶体,设置于该主动区范围内之该半导体基底内;一复晶矽层,设置于该绝缘结构上;当一电流流经该复晶矽层时,因该复晶矽层之阻値使得该半导体基底温度昇高;一绝缘层,覆于该半导体基底表面;以及一金属层,设置于该绝缘层上,适位于该MOS电晶体上方。2.如申请专利范围第1项所述之该可靠度测试装置,尚包括设置于该半导体基底内之一N型井区。3.如申请专利范围第2项所述之该可靠度测试装置,其中,该MOS电晶体是设置于该N型井区内之一PMOS电晶体。4.如申请专利范围第1项所述之该可靠度测试装置,尚包括设置于该复晶矽层上之一Kelvin结构。5.一种可靠度测试装置之测试方法,该可靠度测试装置包括设置于一半导体基底上之绝缘结构、设置于该半导体基底上之一MOS电晶体、设置于该绝缘结构上之一复晶矽层、覆于该半导体基底表面之一绝缘层、以及设置于该绝缘层上适位于该MOS电晶体上方之一金属层;该测试方法包括下列步骤:对该金属层施加一负电压,该MOS电晶体源/汲极、闸极、基体极均连接至接地电位,使该绝缘层内含离子移动至该金属层与该绝缘层介面;量测该源/汲极与该基体极间之第一接面漏电流;对该金属层、该闸极、该基体施加一正电压,该源/汲极连接至该接地电位,使该等离子移动至该源/汲极与该基体极间介面;量测该源/汲极与该基体极间间之第二接面漏电流;以及根据该等第一和第二接面漏电流,获知该等离子浓度。6.如申请专利范围第5项所述之该测试方法,其中,对该金属层施加该负电压之步骤中,尚以一电流流经该复晶矽层进行加热。7.如申请专利范围第6项所述之该测试方法,其中,该加热步骤之温度约为300-500℃。8.如申请专利范围第6项所述之该测试方法,其中,该加热步骤之时间持续约30秒至2分钟间之范围。9.如申请专利范围第6项所述之该测试方法,尚以设置于该复晶矽层上之一Kelvin结构进行温度量测。10.如申请专利范围第5项所述之该测试方法,其中,对该金属层施加该正电压之步骤中,尚以一电流流经该复晶矽层进行加热。11.如申请专利范围第10项所述之该测试方法,其中,该加热步骤之温度约为300-500℃。12.如申请专利范围第10项所述之该测试方法,其中,该加热步骤之时间持续约30秒至2分钟间之范围。13.如申请专利范围第10项所述之该测试方法,尚以设置于该复晶矽层上之一Kelvin结构进行温度量测。图式简单说明:第一图系显示根据本发明之可靠度测试装置、一较佳实施例制于一半导体基底上之布局顶视图;第二图系显示沿第一图II-II线所截之剖面图示;第三图A所示为对金属层施加负电压之图示;第三图B所示为对金属层施加正电压之图示。 |
