| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法包含:使固体装置表面与半导体晶片表面相对向之过程,将前述固体装置表面所隆起形成的金属电极部与前述半导体晶片所隆起形成的金属电极部直接连结并相互按压之过程、对相互按压之金属电极部施予超音波振动而使金属电极部相互接合之过程。2.如申请专利范围第1项之方法,其中,与前述固体装置相接合之前述半导体晶片系另一半导体晶片。3.如申请专利范围第1项之方法,其中,前述固体装置系配线基板。4.如申请专利范围第1项之方法,其中,于前述固体装置及半导体晶片所隆起形成之金属电极部系由金所构成之隆起物。5.如申请专利范围第1项之方法,其中,前述超音波振动系输入于前述半导体晶片或固体装置,以传达过半导体晶片或固体装置而施加于半导体晶片的金属电极部和固体装置的金属电极部之接合面。图式简单说明:第一图A、第一图B及第一图C为图解剖视图,该图系以制程步骤显示本发明实施例之半导体装置制造方法。 |
