| 主权项 |
1.一种积体记忆体,其特征为包括:—一种正常之位元线(BL),以传送资料至连接于其上之正常之记忆胞(MC)或使资料反向地由正常之记忆胞(MC)传送至正常之位元线(BL),—正常之读出放大器(SA1),其一方面经由导线(L1)而与正常之位元线(BL)相连接且另一方面与资料线(DQ1)相连接以及用来放大此种由正常之记忆胞(MC)所读出之资料,—备用之读出放大器(RSA1),其在备用情况时用来取代正常之读出放大器(SA1),SA1同样一方面与导线(L1)相连接且另一方面与资料线(DQ1)相连接以及在备用情况时用来放大此种由正常之记忆胞(MC)所读出之资料。2.如申请专利范围第1项之积体记忆体,其中—具有一种备用之位元线(RBL),其用来取代正常之位元线(BL)且同样是与导线(L1)相连接,—在正常之位元线(BL)由备用之位元线(RBL)所取代之情况下,资料由此种与备用之位元线(RBL)相连接之备用之记忆胞(RMC)发出或传送至此种备用之记忆胞(RMC)时是藉由正常之读出放大器(SA1)或备用之读出放大器(RSA1)来进行。3.如申请专利范围第1项之积体记忆体,其中具有另一备用之位元线(RBL2),其用来取代正常之位元线(BL)且经由另一备用之读出放大器(RSA2)而与资料线(DQ1)相连接。4.如申请专利范围第1项之积体记忆体,其中—具有一种可程式化之连接元件(F11),导线(L1)经由F11而与正常之读出放大器(SA1)相连接,—具有一种可程式化之连接元件(/F11),导线(L1)经由/F11而与备用之读出放大器(RSA1)相连接,—各连接元件依据其本身之程式化状态而成为非导电性或导电性。5.如申请专利范围第1项之积体记忆体,其中—具有一种可程式化之连接元件(F1),正常之读出放大器(SA1)经由F1而与资料线(DQ1)相连接,—具有一种可程式化之连接元件(/F1),备用之读出放大器(RSA1)经由/F1而与资料线(DQ1)相连接,—各连接元件依据其本身之程式化状态而成为非导电性或导电性。6.如申请专利范围第4或第5项之积体记忆体,其中这些可程式化之元件(F11,/F11,F1,/F1)是可逆式可程式化的。7.一种积体记忆体之修复方法,该积体记忆体包括:—一种正常之位元线(BL),以传送资料至连接于其上之正常之记忆胞(MC)或使资料反向地由正常之记忆胞(MC)传送至正常之位元线(BL),—正常之读出放大器(SA1),其一方面经由导线(L1)而与正常之位元线(BL)相连接且另一方面与资料线(DQ1)相连接以及用来放大此种由正常之记忆胞(MC)所读出之资料,—备用之读出放大器(RSA1),其在备用情况时用来取代正常之读出放大器(SA1),SA1同样一方面与导线(L1)相连接且另一方面与资料线(DQ1)相连接以及在备用情况时用来放大此种由正常之记忆胞(MC)所读出之资料,—一种备用之位元线(RBL),用来取代正常之位元线(BL),其特征为具有以下各步骤:—正常之读出放大器(SA1)和正常之位元线(BL)是利用这些连接于其上之正常之记忆胞(MC)来测试,—正常之读出放大器(SA1)有缺陷时是由备用之读出放大器(RSA1)所取代且正常之位元线(BL)或正常之记忆胞(MC)有缺陷时是由备用之位元线(RBL)来取代。8.如申请专利范围第7项之修复方法,其中备用之位元线(RBL)同样是与导线(L1)相连接,其具有以下各步骤:—正常位元线(BL)之正常之记忆胞(MC)是藉由正常之读出放大器(SA1)之写入和读出来测试,—在有缺陷时正常之位元线(BL)藉由备用之位元线(RBL)来取代,—备用之位元线(RBL)之备用之记忆胞(RMC)是藉由正常之读出放大器(SA1)之写入和读出来测试,—因此若须重新确定一种缺陷,则正常之位元线(BL)不须由备用之位元线(RBL)来取代而正常之读出放大器(SA1)须由备用之读出放大器(RSA1)来取代。9.如申请专利范围第7项之修复方法,其中具有以下各步骤:—正常位元线(BL)之正常之记忆胞(MC)是藉由正常之读出放大器(SA1)之写入和读出来测试,—在有缺陷时正常之读出放大器(SA1)是藉由备用之读出放大器(RSA1)来取代,—正常位元线(BL)之正常记忆胞(MC)是藉由备用之读出放大器(RSA1)之写入和读出来测试,—因此若须重新确定一种缺陷,则正常之读出放大器(SA)不须由备用之读出放大器(RSA1)来取代而正常之位元线(BL)是由备用之位元线(RBL)来取代。图式简单说明:第一图本发明积体记忆体之第一实施例。第二图本发明之修复方法之第一实施例。第三图本发明之修复方法之第二实施例。第四图积体记忆体之第二实施例。第五图可程式化之连接元件之实施例。 |
