发明名称 次微米彩色滤光片的制造方法
摘要 本发明提供一种次微米彩色滤光片的制造方法。其方法系为覆盖一层蓝色光阻,经过一次曝光显影制程后,形成蓝色画素,之后覆盖一层绿色光阻,进行两次曝光制程,每一次曝光的图案比例25%,再进行显影制程形成绿色画素,最后再覆盖一层红色光阻,经过一次曝光显影制程后,形成红色画素。
申请公布号 TW451488 申请公布日期 2001.08.21
申请号 TW089112060 申请日期 2000.06.20
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 翁福田;张志光;萧玉焜;张笔政;吕国良
分类号 H01L27/14 主分类号 H01L27/14
代理机构 代理人 洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种次微米彩色滤光片的制造方法,该制造方法包括下列步骤:于一物质层上涂布一第一彩色光阻;进行一第一曝光制程和一第一显影制程,以使该第一彩色光阻转为复数个第一彩色画素;于该物质层上涂布一绿色光阻;进行一第二曝光制程,以定义出一部份绿色画素图案;进行一第三曝光制程,以定义出另一部份绿色画素图案;进行一第二显影制程,以形成复数个绿色画素;于该物质层上涂布一第二彩色光阻;以及进行一第四曝光制程和一第三显影制程,以使该第二彩色光阻转为复数个第二彩色画素。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一彩色光阻为一蓝色光阻,该第一彩色画素为一蓝色画素,该第二彩色光阻为一红色光阻,该第二彩色画素为一红色画素。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一彩色光组为一红色光阻,该第一彩色画素为一红色画素,该第二彩色光阻为一蓝色光阻,该第二彩色画素为一蓝色画素。4.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中该红色光阻为负光阻,该蓝色光阻为负光阻,该绿色光阻为负光阻。5.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中该红色光阻为负光阻,该蓝色光阻为负光阻,该绿色光阻为负光阻。6.一种次微米彩色滤光片的制造方法,包括:提供一基底,该基底中具有一感测区,该基底上具有一电晶体,用以控制该感测区;于该电晶体上覆盖一第一介电层;于该第一介电层上形成一内连线结构,用以控制该电晶体;于该内连线结构上形成一第二介电层;于该第二介电层上形成涂布一第一彩色光阻;进行一第一曝光制程和一第一显影制程,以使该第一彩色光阻转为复数个第一彩色画素;于该第二介电层上涂布一绿色光阻;进行一第二曝光制程,以定义出一部份绿色画素图案;进行一第三曝光制程,以定义出另一部份绿色画素图案;进行一第二显影制程,使该些绿色画素图案转为复数个绿色画素;于该第二介电层上涂布一第二彩色光阻;以及进行一第四曝光制程和一第三显影制程,以使该第二彩色光阻转为复数个第二彩色画素;于该些第一彩色、绿色和第二彩色画素上形成一第三介电层;以及于该第三介电层上形成一微透镜。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该第一介电层、该第二介电层和该第三介电层的材质包括氧化矽。8.如申请专利范围第6项所述之制造方法,其中该第一彩色光阻为一蓝色光阻,该第一彩色画素为一蓝色画素,该第二彩色光阻为一红色光阻,该第二彩色画素为一红色画素。9.如申请专利范围第6项所述之制造方法,其中该第一彩色光阻为一红色光阻,该第一彩色画素为一红色画素,该第二彩色光阻为一蓝色光阻,该第二彩色画素为一蓝色画素。10.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中该红色光阻为负光阻,该蓝色光阻为负光阻,该绿色光阻为负光阻。11.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该红色光阻为负光阻,该蓝色光阻为负光阻,该绿色光阻为负光阻。图式简单说明:第一图系绘示习知之固态影像装置的剖面图。第二图A至第二图C系绘示习知之彩色滤光片的制造流程顶视图。第三图系绘示根据本发明一较佳实施例之一种固态影像装置的剖面图。第四图A至第四图D系第三图之彩色滤光片的制造流程顶视图。
地址 新竹科学工业园区园区三路一二一号