| 主权项 |
1.一种线路之接触结构之制造方法,其包括步骤为:在基材上形成线路;藉实施退火制程在线路上形成层间反应层;及经由层间反应层形成电连接至线路之传导层。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中线路系由包含铝底物质之传导物质制成。3.根据申请专利范围第1项之方法,其进一步包括在线路与传导层之间形成具有接触孔之绝缘层。4.根据申请专利范围第3项之方法,其中退火制程在形成绝缘层以前实施。5.根据申请专利范围第3项之方法,其中退火制程在形成绝缘层以后实施。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中层间反应层包含矽或过渡金属。7.根据申请专利范围第3项之方法,其中层间反应层为金属间化合物层。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中传导层系由氧化锌铟之透明传导物质制成。9.根据申请专利范围第1项之方法,其中退火制程在200-400℃范围内实施。10.一种线路之接触结构,其包含:在基材上之传导物质之线路;形成在线路上并包含至少矽或过渡金属之层间反应层;及经由层间反应层电连接至线路之传导层。11.根据申请专利范围第10项之接触结构,其中线路系由包含铝底物质之传导物质制成。12.根据申请专利范围第11项之接触结构,其中层间反应层包含至少AlxSix。13.根据申请专利范围第10项之接触结构,其中层间反应层为金属间化合物层。14.根据申请专利范围第10项之接触结构,其中传导层系由氧化锌铟之透明传导物质制成。15.根据申请专利范围第10项之接触结构,其进一步包含暴露线路与传导层间之层间反应层之具有接触孔之绝缘层。16.一种薄膜电晶体列阵面板之制造方法,其包括步骤为:形成闸线路;形成数据线路;形成半导体层;透过退火制程在闸线路及数据线路上形成层间反应层;及经由层间反应层形成电连接至闸线路或数据线路之传导层。17.根据申请专利范围第16项之方法,其进一步包括在闸线路或数据线路与传导层间之闸线路或数据线路上形成具有接触孔之绝缘层之步骤。18.根据申请专利范围第16项之方法,其中闸线路及数据线路包含铝底物质之传导物质。19.根据申请专利范围第16项之方法,其中层间反应层包含矽或过渡金属。20.根据申请专利范围第19项之方法,其中层间反应层包含非晶或掺杂之非晶矽。21.根据申请专利范围第19项之方法,其中层间反应层为金属间化合物。22.根据申请专利范围第16项之方法,其中传导层系由氧化锌铟制成。23.根据申请专利范围第16项之方法,其中退火制程在形成绝缘层前实施。24.根据申请专利范围第16项之方法,其中退火制程在形成绝缘层后实施。25.根据申请专利范围第16项之方法,其中绝缘层在200-400℃范围内沉积。26.根据申请专利范围第16项之方法,其进一步包括在形成层间反应层前实施使用蚀刻剂之湿清洁制程或使用电浆之乾清洁制程之步骤。27.一种液晶显示装置用之薄膜电晶体列阵面板之制造方法,其包括步骤为:藉沉积及成型第一传导物质在绝缘基材上形成包含闸线之闸线路及连接至闸线之闸电极;沉积闸绝缘层;形成半导体层;藉沉积及成型第二传导物质形成包含交叉闸线之数据线之数据线路、连接至数据线且邻接闸电极之源电极及对闸电极对置源电极之汲电极;沉积钝化层;藉实施退火制程在闸线路及数据线路上形成层间反应层;成型钝化层,以形成暴露汲电极之第一接触孔;及透过钝化层上之第一接触孔,以形成电连接至汲电极之像素电极。28.根据申请专利范围第27项之方法,其中第一与第二传导物质包含铝底物质之金属。29.根据申请专利范围第27项之方法,其中退火制程在形成闸绝缘层或钝化层前实施。30.根据申请专利范围第27项之方法,其中退火制程在形成第一接触孔后实施。31.根据申请专利范围第27项之方法,其中像素电极系由透明传导物质制成。32.根据申请专利范围第31项之方法,其中像素电极系由氧化锌铟制成。33.根据申请专利范围第27项之方法,其中退火制程在200-400℃范围内实施。34.根据申请专利范围第27项之方法,其中层间反应层包含矽或过渡金属。35.根据申请专利范围第34项之方法,其中层间反应层包含非晶或掺杂之非晶矽。36.根据申请专利范围第34项之方法,其中层间反应层为金层间化合物。37.根据申请专利范围第27项之方法,其中闸线路进一步包含连接至闸线且自外电路接收信号之闸垫,及数据线路进一步包含连接至数据线且自外电路接收信号之数据垫,钝化层与闸绝缘层具有分别在闸垫及数据垫上暴露层间反应层之第二接触孔及第三接触孔,及进一步包括形成由与像素电极相同层制成且透过第二及第三接触孔分别电连接至闸垫及数据垫之冗余闸垫及冗余数据垫之步骤。38.根据申请专利范围第27项之方法,其中数据线路与半导体层系藉微影制程使用视位置具有不同厚度之光阻型样形成一起。39.根据申请专利范围第38项之方法,其中光阻型样具有一具有第一厚度之第一部份、具有大于第一部份之第二厚度之第二部份及具有小于第一厚度之第三厚度之第三部份。40.根据申请专利范围第39项之方法,其中用于形成光阻型样之罩具有第一、第二及第三零件,第三零件之透光度高于第一与第二零件,第一零件之透光度高于第二零件。41.根据申请专利范围第40项之方法,其中光阻型样之第一与第二部份分别在源电极与波电极间之部份及数据线路上对准。42.根据申请专利范围第41项之方法,其中罩之第一零件包含局部透明层、或小于用于曝光步骤之曝光清晰度之缝隙型样,以调节第一零件之透光度。43.根据申请专利范围第27项之方法,其进一步包括步骤为:沉积欧姆接触层在数据线路与半导体层之间。44.根据申请专利范围第43项之方法,其中数据线路、欧姆接触层及半导体层系以相同微影制程形成。45.一种薄膜电晶体列阵面板,其包含:由第一传导物质在绝缘基材上制成之闸线路;覆盖闸线路之闸绝缘层;形成在闸绝缘层上之半导体层;由第二传导物质在闸绝缘层及半导体层上制成之数据线路;覆盖数据线路之钝化层;形成在闸线路及数据线路上之层间反应层;及经由第一接触孔,透过闸绝缘层或钝化层之第一接触孔电连接至闸线路或数据线路之透明传导层型样。46.根据申请专利范围第45项之薄膜电晶体列阵面板,其中第一与第二传导物质包含铝底物质之金属。47.根据申请专利范围第45项之薄膜电晶体列阵面板,其中绝缘层及钝化层系由氮化矽制成。48.根据申请专利范围第45项之薄膜电晶体列阵面板,其中透明传导层型样系由氧化锌铟制成。49.根据申请专利范围第45项之薄膜电晶体列阵面板,其中闸线路包含闸线、连接至闸线之闸电极及连接至闸线且自外电路接收信号之闸垫,数据线路包含数据线、连接至数据线之源电极、自汲电极分离且对闸电极对置汲电极之汲电极及连接至数据线且自外电路接收信号之数据垫。50.根据申请专利范围第45项之薄膜电晶体列阵面板,其中层间反应层包含矽或过渡金属。图式简单说明:第一图为根据本发明之第一具体例之液晶显示装置用之薄膜电晶体列阵面板之布置图。第二图为沿第一图之线II-II'采取之截面图。第三图为根据本发明之第二具体例之液晶显示装置用之薄膜电晶体列阵面板之布置图。第四图为沿第三图之线IV-IV'采取之截面图。第五图A,第六图A,第七图A,第八图A及第九图A为在制法之中间制造步骤时,根据本发明之第一具体例之薄膜电晶体列阵面板之布置图。第五图B为沿第五图A之线VB-VB'采取之截面图。第六图B为在第三图B代表者后之次一制造步骤时,沿第六图A之线VIB-VIB'采取之截面图。第七图B为在第六图B代表者后之次一制造步骤时,沿第七图A之线VIIB-VIIB'采取之截面图。第八图B为在第七图B代表者后之次一制造步骤时,沿第八图A之线VIIIB-VIIIB'采取之截面图。第九图B为在第八图B代表者后之次一制造步骤时,沿第九图A之线IXB-IXB'采取之截面图。第十图A为在第八图A代表者后之次一制造步骤时,根据本发明之第二具体例之薄膜电晶体列阵面板之布置图。第十图B为在第八图B代表者后之次一制造步骤时,沿第十图A之线XB-XB'采取之截面图。第十一图为根据本发明之第三具体例之液晶显示装置用之薄膜电晶体列阵面板之布置图。第十二图及第十三图为分别沿第十一图之线XII-XII'与XIII-XIII'采取之截面图。第十四图A为在制法之第一制造步骤时,根据本发明之第三具体例之薄膜电晶体列阵面板之布置图。第十四图B与第十四图C为沿第十四图A之线XIVB-XIVB'与XIVC-XIVC'采取之截面图。第十五图A与第十五图B为沿第十四图A之线XIVB-XIVB'与XIVC-XIVC'采取之第十四图B与第十四图C代表者后之次一制造步骤时之截面图。第十六图A为第十五图A与第十五图B代表者后之次一制造步骤中薄膜电晶体列阵面板之布置图。第十六图B与第十六图C分别为沿第十六图A之线XVIB-XVIB'与XVIC-XVIC'采取之截面图。第十七图A,第十八图A及第十九图A为沿第十六图A之线XVIB-XVIB'采取之第十六图B代表者后之次一制造步骤中之截面图。第十七图B,第十八图B及第十九图B为沿第十六图A之线XVIC-XVIC'采取之第十六图C代表者后之次一制造步骤中之截面图。第二十图A为在第十九图A与第十九图B代表者后之次一制造步骤中薄膜电晶体列阵面板之布置图。第二十图B与第二十图C分别为沿第二十图A之线XXB-XXB'与XXC-XXC'采取之截面图。第二十一图A为在第二十图A与第二十图B代表者后之次一制造步骤中薄膜电晶体列阵面板之布置图。第二十一图B与第二十一图C分别为沿第二十一图A之线XXIB-XXIB'与XXIC-XXIC'采取之截面图。 |
