| 主权项 |
1.一种具有氮化矽衬里之浅沟隔离制程,其系在半导体基质上利用浅沟渠以形成隔离元件,包含下列步骤:(a)提供一具有一表面之半导体基质,该半导体基质具有一陷入该半导体基质表面以下的浅沟渠,该半导体基质与浅沟渠接触的侧面具有一侧壁、一位于该半导体基质表面上的垫氧化层、以及一位于该垫氧化层上的氮化矽帽盖;(b)氧化该半导体基质以在该侧壁上形成一氧化层衬里;(c)沈积一层氮化矽衬里于该半导体基质上,使该氮化矽衬里形成于该氧化层衬里上以及该氮化矽帽盖的侧边上;(d)沈积一氧化层填充该浅沟渠;(e)以湿浸泡去除该氮化矽帽盖;(f)离子植入硼、氟化硼(BF2)或磷;(g)将该半导体基质置于惰性气体环境下,进行高温退火制程;(h)移除该垫氧化层;以及(i)形成一牺牲氧化层于该半导体基质的表面上。2.根据申请专利范围第1项之制程,其中步骤(d)之氧化层系高密度电浆氧化层或低压四氧乙基矽。3.根据申请专利范围第1项之制程,其中于步骤(d)以及步骤(e)之间更包含一化学机械研磨之平坦化步骤。4.根据申请专利范围第1项之制程,其中步骤(e)之湿浸泡系以酸性溶液进行处理。5.根据申请专利范围第1项之制程,其中步骤(f)之离子植入能量为5-20KeV。6.根据申请专利范围第1项之制程,其中步骤(f)之离子植入剂量为11015-11017 atoms/cm2。7.根据申请专利范围第1项之制程,其中步骤(g)之高温退火制程温度系1100℃以上。8.根据申请专利范围第1项之制程,其中于步骤(i)之后更包含一氧化层移除步骤以及一闸氧化层生成步骤。图式简单说明:第一图a至第一图e例示根据先前技术之浅沟隔离制程产生孔洞缺陷之步骤;以及第二图a至第二图j例示根据本发明之一具体实施例的浅沟隔离制程步骤。 |
