| 主权项 |
1.一种低切换场磁性隧穿接合面记忆体细胞包括: 第一反铁磁耦合多层结构,包括第一和第二磁阻层 ,具有一第一非磁性导通层位于该第一和第二磁阻 层间的平行并列内;该第一磁阻层有第一磁性向量 并且第二磁阻层有第二磁性向量,该第一和第二磁 性向量与无施加的磁场逆平行,并且将该第一磁阻 层建构成以不同于第二磁阻层第二磁性向量的磁 场强度来切换第一磁性向量的方向; 第二结构,包括至少一磁阻层,具有一磁性向量与 该第一反铁磁耦合多层结构的第一和第二磁性向 量之一平行;以及 电子绝缘材料,平行并列于该第一和第二结构之间 以形成一磁阻隧穿接合面。2.如申请专利范围第1 项之低切换场磁性隧穿接合面记忆体细胞,其中该 第一和第二结构长宽比范围为1到5。3.如申请专利 范围第1项之低切换场磁性隧穿接合面,其中该第 一和第二磁阻层在不同切换场切换有不同厚度。4 .如申请专利范围第1项之低切换场磁性隧穿接合 面记忆体细胞,其中该第一和第二磁阻层在不同切 换场切换有不同磁化。5.一种低切换场磁性隧穿 接合面记忆体细胞之高密度阵列包括: 一有平坦表面之基体;以及 复数个相互连接的低切换场磁阻隧穿接合面记忆 体细胞,支持于该基体的平坦表面上,并且相互连 接以形成一记忆体阵列,该复数个细胞的每一个细 胞之纵横比小于5,并且一上部平面为圆形,菱形外 形的,或椭圆形的,每一个细胞包括: 第一反铁磁耦合多层结构,包括第一和第二磁阻层 ,一第一非磁性导通层位于该第一和第二磁阻层间 的平行并列内;该第一磁性层有第一磁性向量并且 第二磁性层有第二磁性向量,第一和第二磁性向量 与无施加的磁场逆平行,并且将该第一磁性层建构 成以不同于第二磁阻层第二磁性向量的磁场强度 来切换第一磁性向量的方向; 第二结构,包括至少一磁阻层,具有一磁性向量与 该第一反铁磁耦合多层结构的第一和第二磁性向 量之一平行;以及 电子绝缘材料,平行并列于该第一反铁磁耦合多层 结构和 该第二结构之间,以形成一磁阻隧穿接合面。6.如 申请专利范围第5项低切换场磁性隧穿接合面记忆 体细胞之高密度阵列,其中该第一和第二磁阻层在 不同切换场强度切换有不同厚度。7.如申请专利 范围第5项低切换场磁性隧穿接合面记忆体细胞之 高密度阵列,其中该第一和第二磁性层在不同切换 场强度切换有不同磁化。8.一种制造一低切换场 磁性隧穿接合面记忆体细胞之方法包括以下该步 骤: 提供一有平坦表面的基体; 在该基体上沉积一第一磁阻结构,该第一磁阻结构 有一磁性向量横沿着平行于该平坦表面的一较佳 磁性轴; 在该第一磁性结构上沉积一层电子绝缘材料;并且 在该电子绝缘层上沉积第二磁性结构,包括 在该电子绝缘层上沉积有一第一厚度的第一层磁 阻材料,并且提供该第一层一横沿着该较佳磁性轴 的磁性向量; 在磁阻材料的该第一层上沉积一第一非磁性导通 导;并且 在第一非磁性导通层上沉积与第一厚度不同的第 二厚度的第二层磁阻材料,并且提供一横沿着该较 佳磁性轴与第一层磁阻材料磁性轴平行的磁性向 量给第二层,该第一和第二层磁阻材料和第一非磁 性导通层定义一反铁磁耦合多层结构,在此该第二 层磁性向量是逆平行于无磁场施加的第一层磁性 向量;并且 该第一磁阻结构、该层电子绝缘材料和该第二磁 阻结构形成一低切换场磁阻隧穿接合面记忆体细 胞。9.如申请专利范围第8项制造一低切换场磁性 隧穿接合面记忆体细胞之方法,其中沉积第一和第 二磁阻层之该步骤包括在不同切换场切换以不同 厚度沉积第一和第二磁阻层。10.如申请专利范围 第8项制造一低切换场磁性隧穿接合面记忆体细胞 之方法,其中沉积第一和第二磁阻层之该步骤包括 在不同切换场切换以不同磁化沉积第一和第二磁 性层。图式简单说明: 第一图为如本发明低切换场磁性隧穿接合面记忆 体细胞之简化侧视图; 第二图为类似于第一图,图示一不可模式及改良之 图; 第三图到第九图示步骤在切换该低切换场场磁性 隧穿接合面记忆体细胞从第一图模式切换至第二 图模式;并且 第十图为如本发明之低切换场磁性隧穿接合面记 忆体细胞阵列的上部平面简化图。 |
