| 主权项 |
1.一种GaAs单结晶晶圆,其特征为,以Si做为掺杂物, 将n型跟p型的GaAs或是AlGaAs薄膜做为液相磊晶成长 的GaAs单结晶底板,从{100}面倾斜 0.02~0.2。2.如申请专利范围第1项之GaAs单结晶晶 圆,其特征为,以Si做为掺杂物,将n型跟p型的GaAs或 是AlGaAs薄膜做为液相磊晶成长的GaAs单结晶底板, 从{100}面倾斜0.03~0.15。3.一种GaAs液相磊晶晶圆, 其特征为,从{100}面倾斜0.02~0.2的GaAs单结晶晶圆 之上,以Si做为掺杂物,将n型跟p型的GaAs或是AlGaAs薄 膜做为液相磊晶成长之GaAs液相磊晶晶圆。4.如申 请专利范围第3项之GaAs液相磊晶晶圆,其特征为,从 {100}面倾斜 0.03~0.15的GaAs单结晶晶圆之上,以Si做为掺杂物,将 n型跟p型的GaAs或是AlGaAs薄膜做为液相磊晶成长之 GaAs液相磊晶晶圆。图式简单说明: 第一图含有作为掺杂剂的两性不纯物质Si的GaAs薄 膜,以液相磊晶法使其成长的温度控制图。横轴代 表时间,纵轴代表温度。 第二图使液相磊晶成长的磊晶晶圆的断面pn接合 图。 第三图为了说明在含有step跟段的GaAs(100)基板的面 上,使GaAs薄膜液相晶圆成长的说明图。 第四图切割自{100}偏离角度(倾斜角度)由0到0.25 为止,每隔0.01刻化刻度的基板:于其上,为使Si掺杂 GaAs薄膜成长,而测定出现楔型pn接合的晶圆比率结 果之图表。横轴代表楔型pn接合的出现频率(%),纵 轴系为自{100}处的偏离角度。 第五图为说明于特许第2914246号之第一图中,所记 载之闪电型半导体开关元件,而显示的磊晶晶圆剖 面图。 第六图为说明于特许第2914246号之第三图中,所记 载之磊晶成长方向与原子步阶之成长方向,所显示 的GaAs晶圆剖面图。 |
