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Es wird als Hartmaske eine Maske aus einem gegen den Ätzangriff besonders widerstandsfähigen keramischen Material aufgebracht. Besonders geeignet ist dafür AlN (Aluminiumnitrid). Die hohe Resistenz dieses Materials gegen den Ätzangriff hat den weiteren Vorteil, daß es in der Regel genügt, die Maske als dünne Schicht oder Film aufzubringen. Damit ist auch die Zeit für die Herstellung dieser Masken innerhalb des Halbleiterfertigungsprozesses verringert, während gleichzeitig die Möglichkeit gegeben ist, unter Verwendung dieser Masken sehr tiefe Strukturen zu ätzen.
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