| 发明名称 |
High concentration doping of silicon semiconductor bodies with phosphorous using ammonium phosphate as source |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB1118985(A) |
申请公布日期 |
1968.07.03 |
| 申请号 |
GB19660028945 |
申请日期 |
1966.06.28 |
| 申请人 |
WESTINGHOUSE ELECTRIC CORPORATION |
发明人 |
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| 分类号 |
C23C16/40;C30B31/02;H01L21/00;H01L21/223 |
主分类号 |
C23C16/40 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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