| 摘要 |
<p>Es wird ein Bipolartransistor (20) sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung beschrieben. Um einen möglichst geringen Übergangswiderstand zwischen Zuleitung (50) und Basis (42) zu erhalten, ist erfindungsgemäss vorgesehen, dass zwischen der ersten (30) und zweiten (50) Schicht eine Zwischenschicht (70) vorgesehen ist, dass die Zwischenschicht (70) selektiv ätzbar zur zweiten Schicht (50) ausgebildet ist, dass wenigstens im Bereich der Unterätzung (43) zwischen Zuleitung (51) und Basis (42) ein Basisanschlussbereich (45) vorgesehen ist, der unabhängig von anderen Herstellungsbedingungen eingestellt werden kann, und dass die Zwischenschicht (70) im Kontaktbereich (46) mit der Basis (42) entfernt ist.</p> |
