| 发明名称 | 在半导体器件中形成铜配线的方法 | ||
| 摘要 | 在半导体器件中形成铜配线的方法,其通过金属有机化学气相沉积(MOCVD),使用1,1,1,5,5,5－六氟－2,4－戊二铜(3,3－二甲基－1－丁烯)－铜(I)((hfac)Cu(DMB))化合物作为母材,通过最佳化设定镀铜设备的工艺条件形成铜种层,并通过电镀方法或无电镀敷方法镀敷铜(Cu),通过PVD法形成第一铜(Cu)种层,通过MOCVD法利用(hafc)Cu(DMB)化合物作为母材在第一铜种层上形成第二铜(Cu)种层,通过电镀方法或无电镀敷方法镀敷铜(Cu)。 | ||
| 申请公布号 | CN1308371A | 申请公布日期 | 2001.08.15 |
| 申请号 | CN00136139.2 | 申请日期 | 2000.12.21 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 表成奎 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/283 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 武玉琴;朱登河 |
| 主权项 | 1.在半导体器件中形成铜配线的方法，包括步骤：在半导体基片上形成内层绝缘膜，其中该基片中形成了构成半导体器件的各种元件，在所述内层绝缘膜上形成接触窗口和沟槽并随后在包含所述接触窗口和所述沟槽的所述内层绝缘膜表面上形成扩散膜层；通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法利用(hafc)Cu(DMB)母材，在其上镀敷有所述扩散膜层的所述接触窗口和所述沟槽表面上就地镀一铜(Cu)种层；通过镀敷方法镀敷铜(Cu)，以使其上镀有所述铜(Cu)种层的所述接触窗口和所述沟槽能够被充分掩盖；及进行化学机械抛光以形成铜(Cu)配线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||