低介电常数介质集成电路用破裂挡板和氧势垒

摘要

借助于与电路互连元件同时构成破裂挡板的相应元件,当靠近切口的破裂挡板也被用作氧扩散通过电介质的主要势垒时,铜互连、低K介电集成电路降低了互连的腐蚀;例如水平互连元件在破裂挡板中具有相应结构,且互连层之间的通孔在破裂挡板中具有相应结构。

主权项

1．一种集成电路的制作方法，此集成电路在电路元件周围具有复合破裂挡板结构，所述复合破裂挡板结构包括一组破裂挡板垂直元件和一组破裂挡板水平元件，所述制作方法包含下列步骤：在半导体衬底中制作一组有源器件；以及连接所述有源器件组，以便借助于下列方法形成电路：(a)在第一介电层中同时制作第一组互连通孔和第一组破裂挡板垂直元件；(b)在直接位于所述第一介电层上的第二介电层中，同时制作第一组互连水平元件和第一组破裂挡板水平元件，所述第一组破裂挡板水平元件直接位于所述第一组破裂挡板垂直元件上方；重复以上上述步骤(a)和(b)，直至完成所述互连元件组，从而所述破裂挡板元件组构成所述破裂挡板结构，且最后的介电层包围最后的破裂挡板元件层；在所述最后的介电层上淀积覆盖层；在所述破裂挡板结构上的所述覆盖层中制作窗口，并在所述窗口中淀积粘附的金属衬里。