发明名称 功率电晶体之导接构造
摘要 本创作系有关于一种功率电晶体之导接构造,主要系包含有一导架,一第一晶片,一第二晶片,一汲极导片以及一导接片等构件;藉由该导架之顶、底面可分别接合第一晶片与第二晶片,且该第一、二晶片与各脚位的导接系可利用源极导片、闸极导片、汲极导片与导接片的接合来完成,俾以免除金线打线作业,而降低生产成本之外,同时,因该导架系与两晶片接触导接,遂可使有效晶片工作范围增大,且令电流导通的面积增大,达到降低阻抗值,增进功率电晶体处理电流能力之功效者。
申请公布号 TW450432 申请公布日期 2001.08.11
申请号 TW089210245 申请日期 2000.06.15
申请人 捷康半导体股份有限公司 发明人 郭芳村;毛森;郭世贤;欧银赏
分类号 H01L23/495 主分类号 H01L23/495
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种功率电晶体之导接构造,其主要系包含有:一导架,其系包含有分离设置之源极导片及闸极导片等构件;其中,该源极导片上形成有源极脚位,且该闸极导片上形成有闸极脚位;一第一晶片,其系接合于该导架之顶面,其中,该第一晶片朝向导架之表面形成有分离之第一源极导接区及第一闸极导接区,另一表面则形成第一汲极导接区,并令该第一源极导接区系与源极导片相导通,而该第一闸极导接区则与闸极导片相导通;一第二晶片,其系接合于该导架之底面,其中,该第二晶片朝向导架之表面形成有分离之第二源极导接区及第二闸极导接区,另一表面则形成第二汲极导接区,并令该第二源极导接区系与源极导片相导通,而该第二闸极导接区则与闸极导片相导通;一汲极导片,其系接合于第一晶片上,且其上形成有汲极脚位,并令该第一汲极导接区系与该汲极导片相导通;以及一导接片,其系接合于第二晶片与汲极导片间,并令该第二汲极导接区与导接片相导通。图式简单说明:第一图所示系习知半导体封装结构之俯视示意图。第二图所示系本创作一较佳实施例之部份立体分解图。第三图所示系本创作一较佳实施例之侧视剖面示意图。
地址 高雄市楠梓区东二街三之三号