| 主权项 |
1.一种形成微电子结构的方法,此方法包括步骤:(a)提供一半导体基板;(b)施加一层氢倍半氧矽烷(HSQ)在此基板;(c)施加一帽状层至氢倍半氧矽烷(HSQ);(d)炉烤固化此氢倍半氧矽烷(HSQ)层。2.一种形成微电子结构的方法,此方法包括步骤:(a)提供一有金属连结的半导体基板;(b)施加一层氢倍半氧矽烷(HSQ)在此有金属连结的基板;(c)施加一帽状层到此氢倍半氧矽烷(HSQ)层;(d)炉烤固化此氢倍半氧矽烷(HSQ)层。3.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中氢倍半氧矽烷(HSQ)可施加在此基板上连接线之间。4.根据申请专利范围第3项之方法,还包括额外的步骤可在施加氢倍半氧矽烷(HSQ)之前提供一衬料在此导电的连结线。5.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中氢倍半氧矽烷(HSQ)可施加在此基板上的绝缘渠沟之间。6.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中此帽状层可选自SiO2,Si3N4及氟基SiO2之群。7.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中炉烤固化之周围系来自CxHy,CxFy,N2,O2,H2O以及形成气体(H2及N2混合物)之群。8.根据申请专利范围第7项之方法,其中炉烤固化的温度超过400℃。9.根据申请专利范围第7项之方法,其中炉烤固化的温度超过800℃。10.根据申请专利范围第1或2项之方法,包括额外步骤为在沈积后平面化第二介电质并接着重覆步骤(a)到(d)以建立一多层互连结构造。11.一微电子结构,包括:(a)半导体基板;以及(b)基板上之实质无裂缝的已固化氢倍半氧矽烷(HSQ)层,其厚度大约大于4000埃。12.根据申请专利范围第11项之结构,其中此氢倍半氧矽烷(HSQ)层可施加在基板上的连结线之间。13.根据申请专利范围第11项之结构,其中此氢倍半氧矽烷(HSQ)层可施加在基板上的绝缘渠沟之间。14.根据申请专利范围第11项之结构,其中此帽状层可选自SiO2,Si3N4及氟基SiO2之群。15.根据申请专利范围第11项之结构,其中氢倍半氧矽烷(HSQ)层可施加在半导体基板上的元件闸极当作多晶金属介电质。图式简单说明:第一图系本发明较佳实施例的侧面图;第二图a-第二图c系第一图较佳实施例的制程步骤;第三图系本发明较佳实施例多重连接线的侧面图;第四图系本发明另一较佳实施例在绝缘渠沟状使用帽状HSQ层的侧面图;第五图系发明另一较佳实施例使用多晶金属介电层之HSQ层的侧面图。 |
