| 主权项 |
1.一种形成半导体装置之程序,包括:在基材(30)之中或之上形成一实质垂直边;在基材(30)上及沿着该实质垂直边形成一第一层(39);蚀刻第一层(39)以形成一间隔层(42),其中执行之蚀刻具有以下特征之至少二者:一蚀刻化学中之各含氟蚀刻类在每一其他原子具有至少5个氟原子之比率;在低于约500毫托之压力下执行蚀刻;及在低于约0.75瓦/cm2之功率密度下执行蚀刻。2.一种形成半导体装置之程序,包括:在一基材(30)上形成一第一堆叠(33)及一第二堆叠(35),其中:第一及第二堆叠(33,35)具有相对侧;及至少一第一层(36)系第一堆叠(33)之一部分,且非第二堆叠(35)之一部分;在第一及第二堆叠(33,35)上形成一第二层(39);及蚀刻第二层(39)以沿着第一及第二堆叠(33,35)之相对侧而形成间隔层(42),其中执行之蚀刻具有以下特征之至少一者:一蚀刻化学中之各含氟蚀刻类在每一其他原子具有至少5个氟原子之比率;在低于约500毫托之压力下执行蚀刻;及在低于约0.75瓦/cm2之功率密度下执行蚀刻。3.一种形成半导体装置之程序,包括:在一基材(30)上形成一第一闸堆叠(33)及一第二闸堆叠(35),其中:第一及第二闸堆叠(33,35)具有相对侧;至少一第一层(36)系第一闸堆叠(33)之一部分,且非第二闸堆叠(35)之一部分;第一闸堆叠(33)具有一第一高度;第二闸堆叠(35)具有一第二高度;及第一高度实质高于第二高度;在第一及第二闸堆叠(33,35)上形成一氮化层(39);及蚀刻氮化层(39)以沿着第一及第二闸堆叠(33,35)之相对侧而形成间隔层(42),其中蚀刻之执行:使用一蚀刻化学,其中:SF6系一蚀刻化学中之唯一含氟类;另一分子类选自由HBr,HCl,BBr3,BCl3,Br2,Cl2,O2及N2组成之群中;及另一分子类在蚀刻化学之约11至20体积百分比范围中;在约40至200毫托之压力范围下执行蚀刻;及在低于约0.2至0.4瓦/cm2之功率密度下执行蚀刻。图式简单说明:第一图,第二图分别是形成掺杂区域及传导柱之后部分半导体基材的剖视图;第三图到第八图包括形成半导体装置期间部分半导体装置基材的剖视图。 |
