Si系材料之熔接方法

摘要

[课题]利用电弧熔接中电弧等离子体的热对原先因非常脆、具高电阻而认为无法加以熔接的Si系材料进行熔接，以提升Si系材料的加工自由度。[解决手段]于氩气5环境气氛中，以钨棒3为阴极、水冷却铜板4为阳极，于上述一对电极3、4之间产生电弧。接着缓缓地延伸电弧长度，将彼此端面呈对接状态的一对Si系材料靠近电弧柱2。接着，令上述Si系材料绕轴心旋转，而在旋转的同时进行熔接部的熔融熔接。

主权项

1.一种Si系材料之熔接方法,其特征在于,系于一对电极间产生电弧之后,将Si系材料靠近上述电弧柱,利用电弧等离子体的热使其熔融以进行熔接。2.如申请专利范围第1项之Si系材料之熔接方法,其中上述阳极侧的电极系水冷却铜板。3.如申请专利范围第1或第2项之Si系材料之熔接方法,系设有用以提升上述电弧定向性的手段。4.如申请专利范围第1项之Si系材料之熔接方法,系于电弧产生之后延长电弧的长度,接着将Si系材料靠近电弧柱。图式简单说明:第一图系说明本实施形态之熔接顺序的示意图。第二图系上述实施形态之钨棒以及其周边与水冷却铜板的截面图。第三图所示系上述实施形态之电弧状态的概略图,(a)为开始产生电弧放电的状态,(b)为将Si构件靠近电弧柱时的状态。第四图所示系于阳极侧之水冷却铜板设置突出部之时电弧状态的概略图。第五图系设置有上述突出部的水冷却铜板的说明图。第六图系事先将上述水冷却铜板自阴极的中心位置偏移的状态下进行电弧熔接之时电弧状态的概略图。