| 主权项 |
1.一种在半导体层中成形植入区的方法,包括的步骤有:从该半导体层的面向上延伸成形一表面,以定义一毗邻该面的角;以旋附玻璃在毗邻该角处成形一束带,该束带具有毗邻该面的第一表面,第二表面毗邻从该面向上延伸的该表面;以及从该第二表面边缘向该第一表面边缘延伸的第三表面;以及透过该束带将杂质植入该半导体层中以形成一具有侧缘的植入区,该侧缘与垂直于该面的平面间倾斜一角度。2.根据申请专利范围第1项的方法,从该面向上延伸成形一表面的步骤包括生长一场氧化区。3.根据申请专利范围第1项的方法,从该面向上延伸成形一表面的步骤包括在该面上成形一闸结构。4.根据申请专利范围第3项的方法,成形闸结构的步骤包括在该面上成形一传导闸。5.根据申请专利范围第3项的方法,成形闸结构的步骤包括:在该面上成形一传导闸;以及在该传导闸的侧壁上成形侧壁隔离物。6.根据申请专利范围第1项的方法,该半导体层是成形于矽基材上的磊晶层。7.根据申请专利范围第1项的方法,该半导体层是第一种传导类型,且该植入区具有相对于第一种传导类型的第二种传导类型。8.根据申请专利范围第1项的方法,进一步包括在以旋附玻璃成形束带的步骤前,先在该面及从该面向上延伸的该表面上成形绝缘层的步骤。9.根据申请专利范围第1项的方法,进一步包括在植入杂质的步骤前,先在该面、该束带、及从该面向上延伸的该表面上成形绝缘层的步骤。10.根据申请专利范围第1项的方法,该面是(001)面。11.根据申请专利范围第10项的方法,该侧缘与该(001)面倾斜一角度,其范围从3到到10度。12.一种半导体元件包括:半导体层;从该半导体层的面向上延伸成形一表面,以定义一毗邻该面的角;以旋附玻璃在毗邻该角处成形一束带,该束带具有毗邻该面的第一表面,第二表面毗邻从该面向上延伸的该表面;以及从该第二表面边缘向该第一表面边缘延伸的第三表面;以及在该表面成形植入区,该植入区与从该面向上延伸的该表面自对齐,并具有一侧缘,与垂直于该面的平面间倾斜一角度。13.根据申请专利范围第12项的半导体元件,从该面向上延伸成形的表面是场氧化区的该表面。14.根据申请专利范围第12项的半导体元件,从该面向上延伸成形的表面是闸的该表面。15.根据申请专利范围第12项的半导体元件,从该面向上延伸成形的表面,是在闸的侧壁上成形侧壁隔离物的该表面。16.根据申请专利范围第12项的半导体元件,该半导体层是成形于矽基材上的磊晶层。17.根据申请专利范围第12项的半导体元件,该半导体层是第一种传导类型,且该植入区具有相对于第一种传导类型的第二种传导类型。18.根据申请专利范围第12项的半导体元件,进一步包括:位于该面、该束带、及从该面向上延伸之该表面上的绝缘层。19.根据申请专利范围第18项的半导体元件,进一步包括:位于该面及从该面向上延伸之该表面上的绝缘层,该束带成形于该绝缘层。20.根据申请专利范围第12项的半导体元件,其中的该面是(001)面。21.根据申请专利范围第20项的半导体元件,该侧缘与该(001)面倾斜一角度,范围从3到10度。图式简单说明:第一图-第五图说明场效电晶体按习知技术之制造期间连续阶段的截面正视图;第六图-第八图说明场效电晶体按本发明之第一具体实例制造期间连续阶段的截面正视图;第九图说明场效电晶体按本发明之第二具体实例制造期间连续阶段的截面正视图;第十图-第十一图说明场效电晶体按本发明之第三具体实例制造期间连续阶段的截面正视图;第十二图说明场效电晶体按本发明之第四具体实例制造期间连续阶段的截面正视图;第十三图说明场效电晶体按本发明之第五具体实例制造期间连续阶段的截面正视图; |
