| 主权项 |
1.一种半导体元件之制造方法,包含下列步骤:形成闸极电极于具有一个单元区域及一个周边区域的半导体基板上方;形成间隔物于该闸极电极的二边壁面上;将杂质植入该周边区域的半导体基板中;形成一个成长抑制层于周边区域中的闸极电极与半导体基板表面上;形成经掺杂磊晶层于单元区域中之预定部分的半导体基板上,以使得植入周边区域之半导体基板中的杂质在该半导体基板中扩散,而形成接面区域;且存在于该单元区域之经掺杂磊晶层中的杂质被扩散进行基板中;以及将该成长抑制层移除。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该成长抑制层为一个氮化矽层。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该氮化矽层系以100至200埃的厚度被形成。4.如申请专利范围第2项之方法,其中该氮化矽层系以低压化学气相沈积制程之方法而被形成。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该间隔物为一个氧化层。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该经掺杂磊晶层系以500至1500埃的厚度被形成。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该经掺杂磊晶层包含磷。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该经掺杂磊晶层的形成系藉由在800至900℃温度下及氢气环境中进行1至5分钟的烘烤制程,并藉由在10至50托耳压力及750至950℃温度下即时供给30至300sccm的二氯矽烷及30至200 sccm的氯化氢进行3至10分钟的成长制程。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该经掺杂磊晶层系以超高真空化学气相沈积之方法形成。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该经掺杂磊晶层系以矽烷及二矽烷之任一种气体形成,并于小于1托耳的压力及600至700℃间的温度下被形成。11.一种半导体元件之制造方法,包含下列步骤:形成闸极电极于具有一个单元区域及一个周边区域的半导体基板上方;形成间隔物于该闸极电极的二边壁面上;将杂质植入该周边区域的半导体基板中;在植入该杂质后,形成一个氮化矽层于该结果结构上;将该单元区域的该氮化矽层移除;形成经掺杂磊晶层于单元区域中之预定部分的半导体基板上,以使得植入周边区域之半导体基板中的杂质在该半导体基板中扩散,而形成接面区域;且存在于该单元区域之经掺杂磊晶层中的杂质被扩散进行基板中;以及将该成长抑制层移除。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该成长抑制层为一个氮化矽层。13.如申请专利范围第11项之方法,其中该氮化矽层系以低压化学气相沈积制程之方法而被形成。14.如申请专利范围第11项之方法,其中该间隔物为一个氧化层。15.如申请专利范围第11项之方法,其中该经掺杂磊晶层系以500至1500埃的厚度被形成。16.如申请专利范围第11项之方法,其中该经掺杂磊晶层包含磷。17.如申请专利范围第11项之方法,其中该经掺杂磊晶层的形成系藉由在800至900℃温度下及氢气环境中进行1至5分钟的烘烤制程,并藉由在10至50托耳压力及750至950℃温度下即时供给30至300 sccm的二氯矽烷及30至200 sccm的氯化氢进行3至10分钟的成长制程。18.如申请专利范围第11项之方法,其中该经掺杂磊晶层系以超高真空化学气相沈积之方法形成。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该经掺杂磊晶层系以矽烷及二矽烷之任一种气体形成,并于小于1托耳的压力及600至700℃间的温度下被形成。图式简单说明:第一图A至第一图E系为用于说明一种制造传统半导体元件之方法的横剖面图;以及第二图A至第二图D系为用于说明一种制造根据本发明之半导体元件之方法的横剖面图。 |
