| 主权项 |
1.一种红外线接收元件,包括:一基底,由热电材质所组成,且具有由开口所环绕所之至少一个悬臂部份,其中在基底中之该悬臂部份中之至少一部份系于相同方向均匀极化,且在基底中之其余部份包括随机极化之部份;以及至少一对电极,分别位于该悬臂部份之一顶表面与一底表面上。2.如申请专利范围第1项所述之红外线接收元件,其中该基底中之该其余部份系整体随机极化。3.如申请专利范围第1项所述之红外线接收元件,其中连接至该电极之导电性图样系更位于该基底之该顶表面与该底表面上,在该导电性图样间之该基底中之部份系均匀极化于相同方向,且经由该基底而彼此相对之各两个导电性图样系外部短路。4.如申请专利范围第1项所述之红外线接收元件,其中包括该开口之两尾端之该悬臂部份中之悬臂尾端之邻近区域至少系随机极化。5.如申请专利范围第1项所述之红外线接收元件,其中在形成该电极前,该基底系整体随机极化,且在该导电性图样间之该基底中之部份系藉由施加既定电压于该电极间而均匀极化。6.如申请专利范围第3项所述之红外线接收元件,其中在形成该电极前,该基底系整体随机极化,且在该导电性图样间与该电极间之该基底中之部份系藉由施加既定电压于该导电性图样间而均匀极化。7.如申请专利范围第1项所述之红外线接收元件,其中该开口之两尾端系朝向该悬臂部份之内侧弯曲。8.如申请专利范围第1项所述之红外线接收元件,其中圆化洞系形成于该开口之两尾端。9.如申请专利范围第1项所述之红外线接收元件,其中该开口系一U型开口,其环绕矩形悬臂部份之三侧。10.如申请专利范围第3项所述之红外线接收元件,其中复数个悬臂部份系提供以形成复数个红外线接收部份,且导电性图样系形成以串联至少两个该红外线接收部份。11.如申请专利范围第3项所述之红外线接收元件,其中复数个悬臂部份系提供以形成复数个红外线接收部份,且导电性图样系形成以并联至少两个该红外线接收部份。12.如申请专利范围第3项所述之红外线接收元件,其中复数个悬臂部份系对称地提供以形成复数个红外线接收部份。13.一种红外线感测器,包括:一红外线接收元件;一基部构件,以支撑该红外线接收元件;一电路基底,连接至该红外线接收元件,以侦测到达该红外线接收元件之一红外线接收部份之红外线;一底架,以支撑该红外线接收元件,该基部构件,该电路基底;以及一覆盖物,具红外线可穿透窗,其中该红外线接收元件包括:由一热电材质所组成且具有由一开口所环绕之至少一个悬臂部份之基底,其中在该基底中之该悬臂部份之至少一部份系于相同方向均匀极化,且在基底中之其余部份包括随机极化之部份;以及至少一对电极,分别位于该悬臂部份之一顶表面与一底表面上。14.如申请专利范围第13项所述之红外线感测器,其中该基底中之该其余部份系整体随机极化。15.如申请专利范围第13项所述之红外线感测器,其中连接至该电极之导电性图样系更位于该基底之该顶表面与该底表面上,在该导电性图样间之该基底中之部份系均匀极化于相同方向,且经由该基底而彼此相对之各两个导电性图样系外部短路。16.如申请专利范围第13项所述之红外线感测器,其中包括该开口之两尾端之该悬臂部份中之悬臂尾端之邻近区域至少系随机极化。17.如申请专利范围第13项所述之红外线感测器,其中在形成该电极前,该基底系整体随机极化,且在该导电性图样间之该基底中之部份系藉由施加既定电压于该电极间而均匀极化。18.如申请专利范围第17项所述之红外线接收元件,其中在形成该电极前,该基底系整体随机极化,且在该导电性图样间与该电极间之该基底中之部份系藉由施加既定电压于该导电性图样间而均匀极化。图式简单说明:第一图绘示依照本发明第一实施例中之热电型IR收收元件之基底之顶表面之架构平面图;第二图绘示第一实施例中之基底之底表面上之仰视架构图;第三图系显示在第一实施例中之基底中之极化域之图;第四图系单一极化域中之基底中之极化向量方向想像图;第五图系多重极化域中之基底中之极化向量方向想像图;第六图显示在第一实施例中,用以极化基底方法之剖面图;第七图显示在第一实施例中热电型IR接收元件之架构剖面图;第八图显示在第一实施例中,当基底弯曲时,热电型IR接收元件之效应之剖面图;第九图显示在第一实施例中IR感测器之立体图;第十图显示在第一实施例之热电型IR接收元件之等效电路图;第十一图显示本发明第二实施例中之热电型IR收收元件之基底之顶表面之架构平面图;第十二图绘示第二实施例中之基底之底表面上之仰视架构图;第十三图系显示在第二实施例中之基底中之极化域之图;第十四图显示在第二实施例中,用以极化基底方法之剖面图;第十五图显示在第二实施例中IR感测器之立体图;第十六图显示在第二实施例之热电型IR接收元件之等效电路图;第十七图显示本发明第三实施例中之热电型IR收收元件之基底之顶表面之架构平面图;第十八图绘示第三实施例中之基底之底表面上之仰视架构图;第十九图系显示在第三实施例中之基底中之极化域之图;第二十图显示在第三实施例中,用以极化基底方法之剖面图;第二十一图显示本发明第四实施例中之热电型IR收收元件之基底之顶表面之架构平面图;第二十二图绘示第四实施例中之基底之底表面上之仰视架构图;第二十三图系显示在第四实施例中之基底中之极化域之图;第二十四图显示在第四实施例中,用以极化基底方法之剖面图;第二十五图显示在第四实施例之热电型IR接收元件之等效电路图;第二十六图显示本发明第五实施例中之热电型IR收收元件之基底之顶表面之架构平面图;第二十七图绘示第五实施例中之基底之底表面上之仰视架构图;第二十八图系显示在第五实施例中之基底中之极化域之图;第二十九图显示在第四实施例中,用以极化基底方法之剖面图;第三十图显示施加至实验中所用范例之热周期之波形图,用以提供本发明之效应;第三十一图显示由示波器所观察到玉米花杂讯之波形图;第三十二图显示实验中所用之范例之良率表;第三十三图显示在上述实施例中之U型开口之变化之平面图;第三十四图显示在上述实施例中之U型开口之另一种变化之平面图;第三十五图显示在上述实施例中之U型开口之又另一种变化之平面图;第三十六图显示传统热电型IR接收元件之架构之剖面图;第三十七图显示传统热电型IR接收元件之等效电路图;以及第三十八图显示传统热电型IR接收元件中之基底弯曲问题之剖面图。 |
