| 主权项 |
1.一种形成半导体装置之场氧化物的方法,其包括的步骤有:在半导体基板上建构元件隔绝遮罩;在该遮罩的侧壁形成氮化间隔物,藉此将含氮聚合物保留在半导体基板的曝露区域上;在1050-1200℃的温度下氧化该半导体基板的曝露区域,以长出凹陷氧化物,藉此将含氮聚合物转变成矽氮化物,其中该矽氮化物是在该凹陷氧化物上;移除该凹陷氧化物和矽氮化物,以便在该半导体基板中产生沟渠;以及使该半导体基板接受热氧化,以形成场氧化物。2.根据申请专利范围第1项的方法,其中该凹陷氧化物长到大约厚200-500。3.根据申请专利范围第1项的方法,其中于乾燥气氛中进行该氧化步骤,以长出凹陷氧化物。4.根据申请专利范围第1项的方法,其中在1050-1200℃的温度下进行该热氧化,以形成场氧化物。5.根据申请专利范围第1项的方法,其中该元件隔绝遮罩具有由衬垫氧化物和氮化物所构成的层状结构。6.根据申请专利范围第1项的方法,其中以氢氟酸蚀刻剂移除该凹陷氧化物。7.一种半导体装置,其包括一场氧化物,它的形成乃是藉由:在1050-1200℃的温度下氧化半导体基板的场区域,以长出凹陷氧化物,并将保留在半导体基板场区域上的含氮聚合物转变成矽氮化物,其中该矽氮化物是在凹陷氧化物上;移除该凹陷氧化物和矽氮化物,以便在该半导体基板中产生沟渠;以及热氧化该半导体基板。8.根据申请专利范围第7项的半导体装置,其中该凹陷氧化物长到大约厚200-500。图式简单说明:第一图a到第一图d为截面图解,显示一种形成半导体装置之场氧化物的传统方法;第二图显示场氧化物厚度与场氧化温度的关系之实验资料;以及第三图a到第三图f为截面图解,显示一种根据本发明来形成半导体装置之场氧化物的方法。 |
