| 主权项 |
1.一种浅沟槽隔离区之平坦化方法,包括下列步骤:(a)提供一半导体基底,其表面上依序具有一第一遮蔽层、一牺牲层,和一第二遮蔽层,且有浅沟槽形成于该半导体基底中;(b)全面性地形成一绝缘层,以填满该浅沟槽;(c)平坦化该绝缘层及该第二遮蔽层,使得半导体基底上仍有既定厚度之第二遮蔽层残留;(d)蚀刻除去该残留之第二遮蔽层;(e)蚀刻除去该牺牲层,而露出该第一遮蔽层;以及(f)平坦化该浅沟槽内之绝缘层,使得绝缘层之高度与该第一遮蔽层大约等高。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(a)包括:提供一半导体基底,在其表面上依序形成一第一遮蔽层、一牺牲层、以及一第二遮蔽层;以及选择性地除去该第一遮蔽层、牺牲层、以及第二遮蔽层,以形成该浅沟槽。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在步骤(a)中,该半导体基底和第一遮蔽层之间更具有一衬垫层。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该步骤(a)包括:提供一半导体基底,在其表面上依序形成一衬垫层、一第一遮蔽层、一牺牲层、以及一第二遮蔽层;以及选择性地除去该衬垫层、第一遮蔽层、牺牲层、以及第二遮蔽层,以形成该浅沟槽。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该衬垫层为氧化矽层。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该衬垫层之厚度为40至60之间。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一遮蔽层为氮化矽层。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该第一遮蔽层之厚度为800至1000之间。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二遮蔽层为氮化矽层。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该第二遮蔽层之厚度为1000至1500之间。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中步骤(c)中,半导体基底上有400至600之厚度的第二遮蔽层残留。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中步骤(d)残留第二遮蔽层之除去系以湿蚀刻法达成。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该牺牲层为氧化矽层。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该牺牲层之厚度为50至100之间。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中步骤(e)牺牲层之除去系以湿蚀刻法达成。16.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该绝缘层为氧化矽层。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该氧化矽层系使用化学气相沈积法(CVD)制得。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该氧化矽层系使用高密度电浆化学气相沈积法(HDPCVD)制得。19.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(c)系使用化学机械研磨法以进行平坦化。20.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(f)系使用化学机械研磨法以进行平坦化。图式简单说明:第一图A-第一图B系显示传统上形成浅沟槽隔离区的制程剖面示意图。第二图A-第二图F系依据本发明之较佳实施例,浅沟槽隔离区之平坦化方法的剖面示意图。 |
