| 主权项 |
1.一种金属结合面熔接方法,系于待结合之两金属的结合面中之至少一结合面上涂布一层可与该两金属共晶降低熔点之粉末介质后,送入真空炉烧结,烧结温度控制在高于该粉末介质与两金属之共晶点但低于该两金属之熔点,如此即能够使该两金属之结合面熔化而达到熔接效果。2.如申请专利范围第1项所述之金属结合面熔接方法,其中该真空炉之真空度为10-1torr至10-5torr之间。3.如申请专利范围第1项所述之金属结合面熔接方法,其中该两金属皆为钛合金时,该粉末介质为镍粉,烧结温度控制在800℃至1000℃之间。4.如申请专利范围第1项所述之金属结合面熔接方法,其中该两金属分别为钛合金、镍铁钨合金时,该粉末介质为镍粉,烧结温度控制在800℃至1100℃之间。5.如申请专利范围第1项所述之金属结合面熔接方法,其中该两金属分别为不锈钢、镍铁钨合金时,该粉末介质为碳粉,烧结温度控制在1200℃至1350℃之间。6.如申请专利范围第1项所述之金属结合面熔接方法,其中该两金属分别为不锈钢、不锈钢时,该粉末介质为碳粉,烧结温度控制在1100℃至1300℃之间。7.如申请专利范围第1项所述之金属结合面熔接方法,其中该两金属分别为不锈钢、镍铁钨合金时,该粉末介质为钛粉,烧结温度控制在1300℃至1400℃之间。8.一种高尔夫球杆头之配重块结合方法,其系于高尔夫球杆头之底面设有一装配配重块之凹槽,于该凹槽涂布一层可与该高尔夫球杆头底面金属及该配重块金属共晶降低熔点之粉末介质后,将该配重块套合于该凹槽,送入真空炉烧结,烧结温度控制在高于该粉末介质与两金属之共晶点但低于该两金属之熔点,如此即可令该两金属之结合面熔化达到熔接效果。9.如申请专利范围第8项所述之高尔夫球杆头之配重块结合方法,其中该真空炉之真空度为10-1torr至10-5torr之间。10.如申请专利范围第8项所述之高尔夫球杆头之配重块结合方法,其中该高尔夫球杆头之底面为钛合金、该配重块为镍铁钨合金时,该粉末介质为镍粉,烧结温度控制在800℃至1100℃之间。11.如申请专利范围第8项所述之高尔夫球杆头之配重块结合方法,其中该高尔夫球杆头之底面为不锈钢、该配重块为镍铁钨合金时,该粉末介质为碳粉,烧结温度控制在1200℃至1350℃之间。12.如申请专利范围第8项所述之高尔夫球杆头之配重块结合方法,其中该高尔夫球杆头之底面为不锈钢、该配重块为镍铁钨合金时,该粉末介质为钛粉,烧结温度控制在1300℃至1400℃之间。13.一种高尔夫球杆头之击球面板结合方法,其系于高尔夫球杆头之一击球面设有一装配击球面板之凹槽,于该凹槽涂布一层可与该高尔夫球杆头击球面金属及该击球面板金属共晶降低熔点之粉末介质后,将该击球面板套合于该凹槽,送入真空炉烧结,烧结温度控制在高于该粉末介质与两金属之共晶点但低于该两金属之熔点,如此即可令该两金属之结合面熔化达到熔接效果。14.如申请专利范围第13项所述之高尔夫球杆头之击球面板结合方法,其中该高尔夫球杆头之击球面为钛合金、该击球面板为钛合金时,该粉末介质为镍粉,烧结温度控制在800℃至1000℃之间。15.如申请专利范围第13项所述之高尔夫球杆头之击球面板结合方法,其中该高尔夫球杆头之击球面为不锈钢、该击球面板为钛合金时,该粉末介质为镍粉和碳粉,烧结温度控制在1100℃至1300℃之间。16.如申请专利范围第13项所述之高尔夫球杆头之击球面板结合方法,其中该高尔夫球杆头之击球面为不锈钢、该击球面板为不锈钢时,该粉末介质为碳粉,烧结温度控制在1100℃至1300℃之间。图式简单说明:第一图系习知高尔夫球杆头底面以硬焊方式结合配重块之示意图。第二图系习知高尔夫球杆头底面以锁螺丝方式结合配重块之示意图。第三图系本发明于高尔夫球杆头之配重块结合示意图。第四图系本发明于高尔夫球杆头之击球面板结合示意图。第五图系本发明于高尔夫球杆头之击球面板另一结合示意图。第六图系本发明于高尔夫球杆头结合配重块后之实品断面放大拍照图。 |
