| 主权项 |
1.一种于半导体制程中去除氮化物硬光罩层的化学气体蚀刻方法,至少包含:提供一底材,并以一氮化物层覆盖该底材;形成一光阻层于该氮化物层上,藉以定义至少两沟渠隔离区的位置;以及以氟化硫(SF6),氟化碳气体,氮气(N2),及惰性气体之混合蚀刻气体,除去未被该光阻层所覆盖之部份该氮化物层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述氟化硫(SF6)以百分之2.8之一定量混合比例配成。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述氟化碳气体至少包含三氟化碳(CHF3)与四氟化碳(CF4)。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述氮气(N2)以百分之5.2之一定量混合比例配成。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述惰性气体至少包含氩气(Ar)。6.一种于半导体制程中去除氮化矽硬光罩层的化学气体蚀刻方法,至少包含:提供一底材,并以一氮化矽层覆盖该底材;形成一光阻层于该氮化物矽层上,藉以定义至少两沟渠隔离区的位置;以及以氟化硫,氟化碳气体,氮气,及氩气之混合蚀刻气体,除去未被该光阻层所覆盖之部份该氮化矽层。7.如申请专利范围第6项之方法,其中上述氟化硫(SF6)以百分之2.8之一定量混合比例配成。8.如申请专利范围第6项之方法,其中上述氟化碳气体至少包含三氟化碳(CHF3)与四氟化碳(CF4)。9.如申请专利范围第6项之方法,其中上述氮气(N2)以百分之5.2之一定量混合比例配成。10.如申请专利范围第6项之方法,其中上述氩气(Ar)以百分之84.9之一定量混合比例配成。11.一种形成浅沟渠隔离与闸极的方法,至少包含:提供一底材,并以一氮化矽层覆盖该底材;形成一第一光阻于该氮化矽层上,藉以定义至少两沟渠隔离区的位置;以氟化硫,氟化碳气体,氮气,及惰性气体之混合蚀刻气体,除去未被该第一光阻所覆盖之部份该氮化矽层而形成至少二开口于该些沟渠隔离区;移除该第一光阻;移除被该些开口所暴露之部份该底材而形成二沟渠隔离区;以一介电质材料填充该些沟渠隔离区;移除剩余之该氮化矽层;形成一导体层于该底材上;形成一第二光阻于该导体层上,该第二光阻系用以定义一闸极位置于该些沟渠隔离区之间;移除未被该第二光阻覆盖之部份该导体层;以及移除该第二光阻。12.如申请专利范围第11项之方法,其中上述氟化硫(SF6)以百分之2.8之一定量混合比例配成。13.如申请专利范围第11项之方法,其中上述三氟化碳(CHF3)以百分之1.4之一定量混合比例配成。14.如申请专利范围第11项之方法,其中上述四氟化碳(CF4)以百分之5.7之一定量混合比例配成。15.如申请专利范围第11项之方法,其中上述氮气(N2)以百分之5.2之一定量混合比例配成。16.如申请专利范围第11项之方法,其中上述氩气(Ar)以百分之84.9之一定量混合比例配成。17.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之导体层系为多晶矽层。图式简单说明:第一图A至第一图C为传统制程之蚀刻结果;第二图A至第二图C为本发明一较佳实施例之制程的横截面示意图;及第三图A至第三图F为本发明另一较佳实施例之制程的横截面示意图。 |
