| 主权项 |
1.一种蚀刻多晶矽(Polysilicon)的方法,至少包含:氦气(He)-氧气(O2);溴化氢气(HBr);及氮气(N2)以作为蚀刻气体;共同进行化学蚀刻制程;藉以保护多晶矽间的侧壁(Sidewall),具体地避免角蚀现象产生;并使得多晶矽闸可具有较好的垂直轮廓(Profile)。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述氦气(He)-氧气(O2)至少包含一第一流量。3.如申请专利范围第2项之方法,其中上述第一流量至少包含一流量范围约为2至10sccm。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述溴化氢气(HBr)至少包含一第二流量。5.如申请专利范围第4项之方法,其中上述第二流量至少包含一流量范围约为130至200sccm。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述氮(N2)至少包含一第三流量。7.如申请专利范围第6项之方法,其中上述第三流量至少包含一流量范围约为5至10sccm。8.一种蚀刻多晶矽以形成半导体多晶矽闸的方法,至少包含:具有第一流量之氦气(He)-氧气(O2);具有第二流量之溴化氢气(HBr);及具有第三流量之氮气(N2)以作为蚀刻气体;共同进行化学蚀刻制程;藉以保护多晶矽闸的侧壁(Sidewall),具体地避免角蚀现象产生;并使得多晶矽闸可具有较好的垂直轮廓(Profile)。9.如申请专利范围第8项之方法,其中上述第一流量至少包含一流量范围约为2至10sccm。10.如申请专利范围第8项之方法,其中上述第二流量至少包含一流量范围约为130至200sccm。11.如申请专利范围第8项之方法,其中上述第三流量至少包含一流量范围约为5至10sccm。12.一种可作为蚀刻多晶矽的气体,至少包含:具有流量范围约为2至10sccm之氦气(He)-氧气(O2);具有流量范围约为130至200sccm之溴化氢气(HBr);及氮气(N2)以作为蚀刻气体;共同进行化学蚀刻制程。13.如申请专利范围第12项之气体,其中上述氮(N2)至少包含一流量范围约为5至10sccm。14.一种可蚀刻多晶矽以形成半导体多晶矽闸的气体,至少包含:氦气(He)-氧气(O2);溴化氢气(HBr);及具有流量范围约为5至10sccm之氮气(N2)以作为蚀刻气体;共同进行化学蚀刻制程。15.如申请专利范围第14项之气体,其中上述氦气(He)-氧气(O2)至少包含一流量范围约为2至10sccm。16.如申请专利范围第14项之气体,其中上述溴化氢气(HBr)至少包含一流量范围约为130至200sccm。17.一种可作为蚀刻多晶矽的气体,至少包含:具有流量范围约为2至10sccm之氦气(He)-氧气(O2);具有流量范围约为130至200sccm之溴化氢气(HBr);及具有流量范围约为5至10sccm之氮气(N2)以作为蚀刻气体;共同进行化学蚀刻制程。图式简单说明:第一图为传统制程之蚀刻结果。第二图为本发明制程之蚀刻结果。第三图A为传统制程的蚀刻结果之SEM图。第三图B为本发明制程的蚀刻结果之SEM图。 |
