| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征为具备有: 半导体基板; 半导体晶片,由复数个半导体元件所构成,且将连 接于一个闸极焊垫和一个汲极焊垫的复数个半导 体单元,配置在上述半导体基板上以构成高频带, 且在该高频带中进行放大动作者; 内部匹配电路; 高谐波匹配电路,设在上述半导体单元的每一个上 ,且由配置于上述半导体晶片和上述内部匹配电路 之间的电容器和电感器所构成;以及 封装,用以收纳上述半导体基板、半导体晶片、上 述内部匹配电路及上述高谐波匹配电路。2.如申 请专利范围第1项之半导体装置,其具备有被配置 于上述封装之外侧的外部匹配电路。3.如申请专 利范围第2项之半导体装置,其中上述高谐波匹配 电路,系在上述半导体基板上与上述半导体晶片一 体化所形成。4.如申请专利范围第3项之半导体装 置,其中,上述高谐波匹配电路的电容器,系具有形 成于上述半导体元件之电极与汲极焊垫之间的MIM 电容器。5.如申请专利范围第3项之半导体装置,其 中,上述高谐波匹配电路的电容器,系形成于上述 半导体元件之电极与汲极焊垫之间。6.如申请专 利范围第3项之半导体装置,其中,上述高谐波匹配 电路的电感器,系形成于上述汲极焊垫之配线与上 述半导体基板之背面之间。7.如申请专利范围第3 项之半导体装置,其中,上述高谐波匹配电路的电 感器,为连接上述汲极焊垫与上述半导体元件之电 极的配线之电感。8.如申请专利范围第3项之半导 体装置,其中上述高谐波匹配电路,系以汲极焊垫 之电气容量作为电容器,而以连接汲极焊垫和上述 半导体元件之电极的配线之电感作为电感器的低 通滤波电路。9.如申请专利范围第1项之半导体装 置,其中上述高谐波匹配电路,系在上述半导体基 板上与上述半导体晶片一体化所形成。10.如申请 专利范围第9项之半导体装置,其中上述高谐波匹 配电路的电容器,系具有形成于上述半导体元件之 电极与汲极焊垫之间的MIM电容器。11.如申请专利 范围第9项之半导体装置,其中上述高谐波匹配电 路的电容器,系形成于上述半导体元件之电极与汲 极焊垫之间。12.如申请专利范围第9项之半导体装 置,其中上述高谐波匹配电路的电感器,系形成于 上述汲极焊垫之配线与上述半导体基板之背面之 间。13.如申请专利范围第9项之半导体装置,其中 上述高谐波匹配电路的电感器,为连接上述汲极焊 垫与上述半导体元件之电极的配线之电感。14.如 申请专利范围第9项之半导体装置,其中上述高谐 波匹配电路,系以汲极焊垫之电气容量作为电容器 ,而以连接汲极焊垫和上述半导体元件之电极的配 线之电感作为电感器的低通滤波电路。图式简单 说明: 第一图显示本发明实施形态1之半导体装置之半导 体晶片的构成俯视图。 第二图为本发明第一半导体装置的等效电路图。 第三图为本发明第二半导体装置的等效电路图。 第四图显示本发明实施形态2之半导体装置之半导 体晶片的构成俯视图。 第五图显示本发明实施形态3之半导体装置之半导 体晶片的构成俯视图。 第六图显示本发明实施形态4之半导体装置之半导 体晶片的构成俯视图。 第七图显示本发明实施形态5之半导体装置之半导 体晶片的构成俯视图。 第八图(a)显示本发明实施形态6之半导体装置之半 导体晶片的构成俯视图,第八图(b)为本发明实施形 态6之半导体装置中之低通滤波电路的等效电路图 。 第九图显示习知技术之半导体装置之半导体晶片 的构成俯视图。 第十图显示习知技术之半导体装置之构成的俯视 图。 第十一图显示习知技术之半导体装置的等效电路 图。 第十二图显示习知技术之半导体装置之半导体晶 片构成的等效电路图。 第十三图为习知技术之半导体装置之输出侧外部 匹配电路11的第一例。 第十四图为习知技术之半导体装置之输出侧外部 匹配电路11的第二例。 |
