| 主权项 |
1.一种清洁半导体晶片表面的方法,该方法系包含有下列步骤:对该半导体晶片表面进行一电浆灰化(plasma ashing)制程;以及进行一湿式清洗(wet cleaning)制程,该湿式清洗制程包含有下列步骤:利用一溶有臭氧(ozone, O3)的去离子水(deionized water)来清洗该半导体晶片表面;利用一胺类溶剂(amine based solvent)来清洗该半导体晶片表面;以及利用一含氟溶剂(fluoride based solvent)来清洗该半导体晶片表面。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导体晶片系包含有复数个已定义之闸极设于该半导体晶片表面,且每一闸极均包含有一闸极氧化层(gate oxide)设于该半导体晶片表面之上,一多晶矽层设于该闸极氧化层之上,以及一金属矽化物层设于该多晶矽层之上。3.如申请专利范围第2项之方法,其中各闸极之顶部均另设有一光阻层,用来定义各闸极的位置与图案(pattern)。4.如申请专利范围第3项之方法,其中在完成该湿式清洗制程之后,该方法另包含有一氧气电浆清洗制程,用来去除残留于该半导体晶片表面上之光阻。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该电浆灰化制程系于一含有氧气(oxygen, O2)以及四氟化碳(carbontetrafluoride, CF4)的环境中进行。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该溶有臭氧之去离子水的臭氧浓度约为30至45ppm(parts per million)。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该胺类溶剂系包含有氢氧化胺(hydroxyl amine, NH2OH)。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该含氟溶剂系包含有氟化铵(ammoniumfluoride, NH4F)。9.一种去除半导体晶片表面之光阻与高分子残留物(polymer residues)的方法,该方法包含有下列步骤:对该半导体晶片表面进行一电浆灰化制程;利用一胺类溶剂清洗该半导体晶片表面;利用一溶有臭氧的去离子水清洗该半导体晶片表面;利用一含氟溶剂清洗该半导体晶片表面;以及于该半导体晶片表面进行一氧气电浆清洗制程。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该半导体晶片系包含有复数个已定义之闸极设于该半导体晶片表面,每一闸极均包含有一闸极氧化层设于该半导体晶片表面之上,一多晶矽层设于该闸极氧化层之上,以及一金属矽化物层设于该多晶矽层之上,而且各闸极之顶部皆另设有一光阻层,用来定义各闸极的位置与图案。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该金属矽化物层系由矽化钛(Ti-Polycide)所构成。12.如申请专利范围第9项之方法,其中该电浆灰化制程系于一含有氧气(O2)以及四氟化碳(CF4)的环境中进行。13.如申请专利范围第9项之方法,其中该胺类溶剂系包含有氢氧化胺(NH2OH)。14.如申请专利范围第9项之方法,其中该含氟溶剂系包含有氟化铵(NH4F)。15.如申请专利范围第9项之方法,其中该溶有臭氧的去离子水之臭氧浓度约为30至45ppm。16.如申请专利范围第15项之方法,其中利用该溶有臭氧的去离子水来清洗该半导体晶片表面的时间约为3至12秒。图式简单说明:第一图及第二图为习知于一半导体晶片上定义一闸极之示意图。第三图为一含氟溶剂对于控片上之矽氧层之蚀刻速率关系图。第四图为本发明一半导体晶片于完成闸极定义之后的剖面示意图。第五图为本发明半导体晶片在经过一电浆灰化程之后的剖面示意图。第六图为本发明半导体晶片经过一湿式清洗制程之后的剖面示意图。第七图为本发明半导体晶片经过氧气电浆清洗制程之后的剖面示意图。 |
