| 主权项 |
1.一种具有在0公分高度下容量之50%之毛细吸附脱附高度(CSDH50)之流体处理元件;其更具有在100%饱和及在50%饱和下之液体渗透性(k(100)及k(50)),其特征为CSDH50値低于150公分,k(100)具有多于1达西(Darcy)之値,及k(50)具有多于k(100)之14%之値。2.如申请专利范围第1项之流体处理元件,其中该元件具有多于2达西之k(100)値。3.如申请专利范围第1项之流体处理元件,其中该元件具有多于8达西之k(100)値。4.如申请专利范围第1项之流体处理元件,其中该元件具有多于100达西之k(100)値。5.如申请专利范围第1项之流体处理元件,其中该元件具有多于k(100)之18%之k(50)値。6.如申请专利范围第5项之流体处理元件,其中该元件具有多于k(100)之25%之k(50)値。7.如申请专利范围第6项之流体处理元件,其中该元件具有多于k(100)之35%之k(50)値。8.如申请专利范围第1项之流体处理元件,其中该元件具有多于k(100)之3.5%之在其30%饱和下之渗透性k(30)。9.如申请专利范围第8项之流体处理元件,其中该元件具有多于k(100)之5%之k(30)値。10.如申请专利范围第9项之流体处理元件,其中该元件具有多于k(100)之10%之k(30)値。11.如申请专利范围第1项之流体处理元件,其中该元件具有低于100公分之CSDH50値。12.如申请专利范围第11项之流体处理元件,其中该元件具有低于75公分之CSDH50値。13.如申请专利范围第12项之流体处理元件,其中该元件具有低于50公分之CSDH50値。14.一种具有毛细吸附脱附高度(CSDH50),更具有在100%饱和及在50%饱和下之液体渗透性(k(100)及k(50))之流体处理元件,其特征为其具有低于150公分之CSDH値,其在100%饱和下之渗透性k(100)具有多于1达西之値,其具有多于k(100)之14%之在其50%饱和下之渗透性k(50),及其在说明于文中之垂直浸润试验中,具有至少0.045克/平方公分/秒之在15公分浸润高度下之通量。15.如申请专利范围第14项之流体处理元件,其具有至少0.06克/平方公分/秒之在15公分浸润高度下之通量。16.如申请专利范围第14项之流体处理元件,其具有至少0.1克/平方公分/秒之在15公分浸润高度下之通量。17.如申请专利范围第14项之流体处理元件,其中该元件具有多于2达西之k(100)値。18.如申请专利范围第14项之流体处理元件,其中该元件具有多于8达西之k(100)値。19.如申请专利范围第14项之流体处理元件,其中该元件具有多于100达西之k(100)値。20.如申请专利范围第14项之流体处理元件,其中该元件具有多于k(100)之18%之k(50)値。21.如申请专利范围第20项之流体处理元件,其中该元件具有多于k(100)之25%之k(50)値。22.如申请专利范围第20项之流体处理元件,其中该元件具有多于k(100)之35%之k(50)値。23.如申请专利范围第14项之流体处理元件,其中该元件具有多于k(100)之3.5%之在其30%饱和下之渗透性k(30)。24.如申请专利范围第23项之流体处理元件,其中该元件具有多于k(100)之5%之k(30)値。25.如申请专利范围第23项之流体处理元件,其中该元件具有多于k(100)之10%之k(30)値。26.如申请专利范围第14项之流体处理元件,其中该元件具有低于100公分之CSDH50値。27.如申请专利范围第14项之流体处理元件,其中该元件具有低于75公分之CSDH50値。28.如申请专利范围第14项之流体处理元件,其中该元件具有低于50公分之CSDH50値。29.如申请专利范围第1项之流体处理元件,另包括亲水性、软质之互连开孔的聚合泡沫塑料结构。30.如申请专利范围第29项之流体处理元件,其中该流体处理元件在润湿时会膨胀。31.如申请专利范围第29项之流体处理元件,其中该流体处理元件在失去液体时会再消瘪。32.如申请专利范围第29项之流体处理元件,其中该流体处理元件在具有至少15公分之毛细管消瘪压力。33.如申请专利范围第29项之流体处理元件,其中该流体处理元件在具有至少15克/克之自由吸收容量。34.一种包含如申请专利范围第1项之流体处理元件之吸收性物件,其更包括与该流体处理元件流体互通之第一液体储存区域。35.如申请专利范围第34项之吸收性物件,其更包括至少第二液体储存区域,其中该两液体储存区域皆与该流体处理元件液体互通。36.如申请专利范围第34项之吸收性物件,其中至少一个该液体储存区域包含展现至少40公分之在其最大容量之50%之毛细吸附吸收高度(CSAH50)之材料。37.如申请专利范围第34项之吸收性物件,另包括提供吸收芯材之总最终储存容量之至少80%之最终液体储存材料。38.如申请专利范围第34项之吸收性物件,另包括提供吸收芯材之总最终储存容量之至少90%之最终液体储存材料。39.一种包含吸收芯材之吸收性物件,该吸收芯材包含两腿分叉区域及一或多个腰部区域,其中该两腿分叉区域具有较共同的该一或多个腰部区域低的最终流体储存能力,及其中该两腿分叉区域包含如申请专利范围第1项之流体处理元件。40.如申请专利范围第39项之吸收性物件,其中该两腿分叉区域具有低于吸收芯材之平均最终流体储存基容量0.9倍之最终流体储存基容量。41.如申请专利范围第40项之吸收性物件,其中该两腿分叉区域具有低于吸收芯材之平均最终流体储存基容量0.5倍之最终流体储存基容量。42.如申请专利范围第41项之吸收性物件,其中该两腿分叉区域具有低于吸收芯材之平均最终流体储存基容量0.3倍之最终流体储存基容量。43.如申请专利范围第39项之吸收性物件,其中该两腿分叉区域具有低于总芯材最终流体储存容量之49%之部分最终流体储存容量。44.如申请专利范围第39项之吸收性物件,其中该两腿分叉区域具有低于总芯材最终流体储存容量之41%之部分最终流体储存容量。45.如申请专利范围第39项之吸收性物件,其中该两腿分叉区域具有低于总芯材最终流体储存容量之23%之部分最终流体储存容量。46.如申请专利范围第39项之吸收性物件,其中该两腿分叉区域面积之至少50%基本上不含有最终储存容量。47.如申请专利范围第39项之吸收性物件,其中该最终储存容量之低于50%系位在两腿分叉区前向之物件的前半部中,及该最终储存容量之多于50%系位在物件之后半部。48.如申请专利范围第47项之吸收性物件,其中该最终储存容量之低于33%系位在两腿分叉区前向之物件的前半部中,及该最终储存容量之多于67%系位在物件之后半部。图式简单说明:第一图至第四图A、第四图B显示不同形式之渗透性试验装置。第一图及第二图A、第二图B系关于简化试验。第三图及第四图A、第四图B系关于一般试验。第一图及第三图系关于穿越平面渗透性之测量,及第二图A、第二图B及第四图A、第四图B系关于平面内渗透性。第五图A-第五图D显示毛细吸附试验标准(毛细吸附(Capsorption))第六图显示作为吸收性物件例子之尿片第七图显示垂直浸润通量试验标准 |
