| 主权项 |
1.一种自行对准之堆叠式电容器的制造方法,适用于一基底,该基底上已形成有一第一绝缘层,该方法包括下列步骤:形成贯穿该第一绝缘层之一位元线接触窗、一第一段节点接触窗,以及位于该第一绝缘层上之一位元线结构,该位元线结构中包含一位元线、一帽盖层与一间隙壁,其中该位元线与该位元线接触窗电性连接,该帽盖层位于该位元线上方,而该间隙壁则位于该位元线与该帽盖层之侧壁;依序形成一第二绝缘层、一蚀刻中止层与一第三绝缘层于该基底上;形成一开口于该第二绝缘层、该蚀刻中止层与该第三绝缘层中,该开口暴露出该位元线结构的一部分与该第一段节点接触窗;形成与该开口共形之一第一导体层于该开口中,该第一导体层之底部即为一冠状电容器下电极之底部与一第二段节点接触窗,该第一导体层之上部即为该冠状电容器下电极之冠部;以及依序形成共形之一介电层与一第二导体层于该基底上,该第二导体层即为一电容器上电极。2.如申请专利范围第1项所述之自行对准之堆叠式电容器的制造方法,其中更包括在形成该第一导体层于该开口之中后,将该第三绝缘层除去。3.如申请专利范围第2项所述之自行对准之堆叠式电容器的制造方法,其中除去该第三绝缘层的方法包括湿蚀刻法。4.如申请专利范围第2项所述之自行对准之堆叠式电容器的制造方法,其中更包括在除去该第三绝缘层之后,形成半球形矽晶粒于该冠状电容器下电极上的步骤。5.如申请专利范围第1项所述之自行对准之堆叠式电容器的制造方法,其中更包括在形成该冠状电容器下电极之后,形成半球形矽晶粒于该冠状电容器下电极上的步骤。6.如申请专利范围第1项所述之自行对准之堆叠式电容器的制造方法,其中形成与该开口共形之一第一导体层于该开口中的方法包括下列步骤:形成共形之一导体材料于该基底上;以及以化学机械研磨法除去位于该开口外之该导体材料。7.如申请专利范围第1项所述之自行对准之堆叠式电容器的制造方法,其中该第一导体层与该第二导体层之材质包括多晶矽。8.如申请专利范围第1项所述之自行对准之堆叠式电容器的制造方法,其中该第二绝缘层之材质包括氧化矽。9.如申请专利范围第1项所述之自行对准之堆叠式电容器的制造方法,其中该第三绝缘层之材质包括氧化矽。10.如申请专利范围第1项所述之自行对准之堆叠式电容器的制造方法,其中该蚀刻中止层之材质包括氮化矽。11.如申请专利范围第1项所述之自行对准之堆叠式电容器的制造方法,其中该帽盖层之材质包括氮化矽。12.如申请专利范围第1项所述之自行对准之堆叠式电容器的制造方法,其中该间隙壁之材质包括氮化矽。13.如申请专利范围第1项所述之自行对准之堆叠式电容器的制造方法,其中该介电层包括一氧化矽/氮化矽/氧化矽复合层。14.如申请专利范围第1项所述之自行对准之堆叠式电容器的制造方法,其中该位元线系由一多晶矽层与该多晶矽层上方之一金属矽化物层构成。15.如申请专利范围第14项所述之自行对准之堆叠式电容器的制造方法,其中该金属矽化物层之材质包括矽化钨。16.一种堆叠式电容器的结构,适用于一基底,该基底上具有一第一绝缘层,该结构包括:一位元线接触窗与一第一段节点接触窗,此二者贯穿该第一绝缘层而与该基底中电性连接;一位元线结构,该位元线结构中包含一位元线、一帽盖层与一间隙壁,其中该位元线位于该第一绝缘层上而与该位元线接触窗电性连接,该帽盖层位于该位元线上方,而该间隙壁位于该位元线与该帽盖层之侧壁;一第二绝缘层,其位于该第一绝缘层上,该第二绝缘层中有一开口,使得该第二绝缘层并未覆盖于该第一段节点接触窗与部分之该位元线结构上;一蚀刻中止层,其位于该第二绝缘层上;一第二段节点接触窗,其位于该开口中且与该第一段节点接触窗电性连接;一冠状电容器下电极,其底部位于该开口中而与该第二段节点接触窗连为一体,该冠状电容器下电极之下半部与该开口共形,且其冠部突出于该开口之上;一介电层,其位于该冠状电容器下电极与该蚀刻中止层上;以及一冠状电容器上电极,其位于该介电层上。17.如申请专利范围第16项所述之堆叠式电容器的结构,其中更包括位于该蚀刻中止层上之一第三绝缘层,该第三绝缘层包围该冠状电容器下电极的上半部,且该第三绝缘层与该冠状电容器下电极之上缘齐平。18.如申请专利范围第17项所述之堆叠式电容器的结构,其中该第三绝缘层之材质包括氧化矽。19.如申请专利范围第16项所述之堆叠式电容器的结构,其中该冠状电容器下电极上更具有复数个半球形矽晶粒。20.如申请专利范围第16项所述之堆叠式电容器的结构,其中该冠状电容器下电极与该冠状电容器上电极之材质包括多晶矽。21.如申请专利范围第16项所述之堆叠式电容器的结构,其中该第二绝缘层之材质包括氧化矽。22.如申请专利范围第16项所述之堆叠式电容器的结构,其中该蚀刻中止层之材质包括氮化矽。23.如申请专利范围第16项所述之堆叠式电容器的结构,其中该帽盖层之材质包括氮化矽。24.如申请专利范围第16项所述之堆叠式电容器的结构,其中该间隙壁之材质包括氮化矽。25.如申请专利范围第16项所述之堆叠式电容器的结构,其中该介电层包括一氧化矽/氮化矽/氧化矽复合层。26.如申请专利范围第16项所述之堆叠式电容器的结构,其中该位元线系由一多晶矽层与该多晶矽层上方之一金属矽化物层构成。27.如申请专利范围第26项所述之堆叠式电容器的结构,其中该金属矽化物层之材质包括矽化钨。图式简单说明:第一图A-第一图C所绘示为习知冠状电容器制程开始时,以不同方法观视基底所得之结构,其中第一图B所绘示为第一图A与第一图C之上视图,第一图A为沿第一图B中直线I-I切割第一图B所得之剖面图,且第一图C为沿第一图B中直线II-II切割第一图B所得之剖面图。第一图C、第二图、第三图与第四图所绘示为习知之冠状电容器之制造方法流程图。第五图A-第五图C所绘示为本发明较佳实施例之冠状电容器制程开始时,以不同方法观视基底所得之结构,其中第五图B所绘示为第五图A与第五图C之上视图,第五图A为沿第五图B中直线III-III切割第五图B所得之剖面图,且第五图C图为沿第五图B中直线IV-IV切割第五图B所得之剖面图。第五图C、第六图、第七图、第八图、第九图与第十图所绘示为本发明较佳实施例之冠状电容器之制造方法流程图。 |
