| 主权项 |
1.一种整流器,包括: 一第一导电型态之第一半导体层,其具有一第一表 面及一相反的表面; 一肖特基位障接触于该第一表面上,定义出一主动 区; 一第一电极层导电性接触该肖特基位障接触; 一具有该第一导电型态之第二半导体层,其电阻系 数大于该第一半导体层,且具有一表面沿该主动区 邻接该第一半导体层之该相反的表面,并具有另一 相反的表面; 一第二电极层导电性接触该第二半导体层之该另 一相反的表面;以及 沟渠手段,形成于该第二电极层下方该主动区边缘 内且围绕该主动区之该第一表面内,俾容纳绝缘材 料以限制来自该主区边缘的漏电流。2.如申请专 利范围第1项所述之整流器,其中该绝缘材料充填 该沟渠手段并包括一介电质。3.如申请专利范围 第1项所述之整流器,其中该绝缘材料系选自氧化 物、聚合物、玻璃与氮化物及其组合所组成的群 组。4.如申请专利范围第1项所述之整流器,更包括 氧化层形成于该主动区边缘之该第一表面上以该 沟渠手段介于其间。5.一种肖特基二极体,包括: 一具有一肖特基位障接触层位于其一表面上的磊 晶层; 一第一电极层位于该磊晶层上覆盖该肖特基位障 接触层; 一基板具有一表面其上形成一第二电极,且另一表 面接合该磊晶层; 一绝缘层位于该第一电极层下方该磊晶层之该一 表面的边缘部份:以及 一隔离沟渠形成于该绝缘层与该肖特基位障接触 层之间的磊晶层内,俾终止该肖特基位障接触层边 缘的电场使该二极体在工作中的该电场集中。6. 如申请专利范围第5项所述之肖特基二极体,更包 括一绝缘材料充填该隔离沟渠。7.如申请专利范 围第6项所述之肖特基二极体,其中该绝缘材料系 选自氧化物、聚合物、玻璃与氮化物及其组合所 组成的群组。8.如申请专利范围第5项所述之肖特 基二极体,其中该隔离沟渠系在该肖特基位障接触 层周围形成封闭结构。9.如申请专利范围第5项所 述之肖特基二基体,其中该绝缘层包括一场氧化物 。10.一种整流器之制作方法,包括下列步骤: 提供一第一导电型态之第一半导体层,其具有第一 表面与一相反的表面; 形成一第一电极层于该第一半导体层之该相反的 表面上; 形成该第一导电型态且电阻系数低于该第一半导 体层之第二半导体层,其具有一表面接触该第一层 的第一表面,及具有另一相反的表面; 形成一肖特基位障接触层于该另一相反的表面上, 定义一主动区; 形成一沟渠于该主动区边缘内且围绕该主动区之 该第二半导体层之该相反的表面内; 以绝缘材料充填该沟渠,用以限制来自该主动区边 缘之漏电流;以及 形成一第二电极层于该第一半导体层之该另一相 反的表面上延伸至该沟渠与该肖特基位障接触层 上,并导电性接触该肖特基位障接触层。11.如申请 专利范围第10项所述之方法,更包括一步骤,形成氧 化层于该主动区边缘之该另一相反的表面上以该 沟渠介于其间。12.如申请专利范围第10项所述之 方法,其中该绝缘材料系选自氧化物、聚合物、玻 璃与氮化物及其组合所组成的群组。13.如申请专 利范围第10项所述之方法,其中该形成一第二半导 体层的步骤包括成长一磊晶层于该第一半导体层 之该第一表面上。14.如申请专利范围第13项所述 之方法,其中该形成一沟渠之步骤包括蚀刻一沟渠 于该磊晶层内延伸围绕该主动区。15.一种整流器, 包括: 一第一导电形态之第一半导体层,其具有一第一表 面与一第二表面; 一第一电极层导电性接触该第一半导体层之该第 一表面; 一该第一导电型态之第二半导体层具有电阻系数 高于该第一半导体层,且具有一第三表面邻近该第 一层之该第二表面,及具有一第四表面; 一肖特基位障接触层于该第四表面上,定义一主动 区;以及 一第二电极层于该第四表面上导电性接触该肖特 基位障接触层; 其改良包括: 一沟渠形成于该第二电极层下方该主动区边缘内 且围绕该主动区之该第四表面内;以及 一绝缘材料充填该沟渠,因而来自该主动区边缘之 漏电流被限制。16.如申请专利范围第15项所述之 整流器,更包括氧化层于该主动区边缘之该第四表 面上以该沟渠位于其间。17.如申请专利范围第15 项所述之整流器,更包括膜层于该第四表面边缘上 由一材料形成,其系选自氧化矽、氮化矽与氮氧化 矽所组成的群组。18.如申请专利范围第15项所述 之整流器,其中该绝缘材料系选自氧化物、聚合物 、玻璃与氮化物及其组合所组成的群组。19.如申 请专利范围第15项所述之整流器,其中该肖特基位 障接触层包括钼。20.如申请专利范围第15项所述 之整流器,其中该电极包括铝,或一多重金属钛/镍/ 银。图式简单说明: 第一图系一正面的示意图,显示根据本发明之一整 流器结构。 第二图系第一图所示整流器结构的上视图,显示根 据本发明之介电质沟渠的封闭结构。 |
