| 主权项 |
1.一种半导体雷射装置,具备有由基座,与该基座形 成一体之雷射发光元件等之安装部,和外部引线构 成之管座,其特征是: 该基座之形成是将金属板折曲成为环状壁部之方 式。2.如申请专利范围第1项之半导体雷射装置,其 中该环状壁部之形成是将板金从其周缘隔开间隔 的折曲,和该雷射发光元件等之安装部之形成是将 板金上面切起,形成在该环状壁部。3.如申请专利 范围第1项之半导体雷射装置,其中该环状壁部之 形成是将板金之周缘折曲,和该雷射发光元件等之 安装部之形成是将板金上面切起。4.如申请专利 范围第1或2项之半导体雷射装置,其中该外部引线 利用被密封在该环状壁部内之热硬化性树脂用来 接合在该基座。5.如申请专利范围第1或2项之半导 体雷射装置,其中该外部引线和该基座分别以不同 之材料电镀而成。6.如申请专利范围第1或2项之半 导体雷射装置,其中,该环状壁部成为散热片。7.一 种半导体雷射装置,具备有管座,其特征是:该管座 具有基座,该基座在周缘具备有将板金折曲所形成 之环状壁部,在该环状壁部内密封有散热器构件。 8.如申请专利范围第7项之半导体雷射装置,其中该 散热器构件是绝缘之铜材料。9.一种半导体雷射 装置,具备有管座,其特征是该管座具有基座,该基 座在周缘具备有环状壁部其形成是将张贴有不同 热传导性之2种金属成为条带状之包盖材料折曲而 形成,至少与该基座形成一体之雷射发光元件等之 安装部之成型是,以该不同金属中之热传导性较高 之金属之部份形成。10.一种半导体雷射装置,具备 有管座,其特征是该管座具有基座,该基座在周缘 具备有环状壁部其形成是将张贴在不同热传导性 之2种金属之表面和背面之包盖材料折曲而形成, 至少与该基座形成一体之雷射发光元件等之安装 部之成型是,以该不同金属中之热传导性较高之金 属之部份形成。11.如申请专利范围第9或10项之半 导体雷射装置,其中该热传导性不同之金属之一方 为铁,和另外一方为铜。12.一种半导体雷射装置, 具备有由基座,雷射发光元件等之安装部,和外部 引线构成之管座,其特征是: 该基座具有将金属板折曲所形成之环状壁部; 该雷射发光元件等之安装部与该外部引线形成一 体;和 该外部引线利用被密封在该环状壁部内之热硬化 性树脂用来接合在该基座。13.如申请专利范围第 12项之半导体雷射装置,其中在该环状壁部内更密 封有散热器构件。图式简单说明: 第一图表示本发明之半导体雷射装置之管座之第1 实施形态之管座,第一图A为其斜视图,第一图B为其 剖面图。 第二图A至第二图D用来说明第1实施形态之管座之 基座之制造工程。 第三图是斜视图,用来表示本发明之第2实施形态 之管座。 第四图A至第四图D是斜视图,用来说明第2实施形态 之管座之基座之制造工程。 第五图是剖面图,用来表示本发明之半导体雷射装 置之第3实施形态之管座,第五图A为其斜视图,第五 图B为其剖面图。 第六图A至第六图B表示本发明之半导体雷射装置 之第4实施形态之管座之斜视图,和管座之基座用 原材料之平面图。 第七图A至第七图B表示本发明之半导体雷射装置 之第5实施形态之管座之平面图和管座之基座用原 材料之剖面图。 第八图表示本发明之半导体雷射装置之第6实施形 态之管座,第八图A为其斜视图,第八图B,第八图C为 其剖面图。 第九图A至第九图C是斜视图,用来说明第6实施形态 之管座之基座之制造工程。 第十图表示习知之半导体雷射装置之管座之剖面 图。 |
