| 主权项 |
1.一种形成电晶体于半导体基材之方法,该方法至 少包含以下步骤: 形成隔离区域于该基材上,该隔离区域将该基材分 隔为静电防护区及功能性元件区; 形成闸极绝缘层于该静电防护区及该功能性元件 区上; 形成多晶矽层于该闸极绝缘层上; 去除部分之该多晶矽层以形成闸极多晶矽结构于 该静电防护区及该功能性元件区上; 掺杂该静电防护区及该功能性元件区,以于该基材 内未被该闸极多晶矽结构覆盖区域的下方形成第 一掺杂区; 掺杂该静电防护区,以于该基材内形成不对称于该 闸极多晶矽结构的第二掺杂区; 形成一覆盖层于该静电防护区上; 形成一侧壁结构于该功能性元件区之该闸极多晶 矽结构上; 形成矽化金属层于该功能性元件区之该闸极多晶 矽结构及该第一掺杂区之上方; 掺杂该矽化金属层,以形成第三掺杂区于该矽化金 属层内; 形成介电层于该基材上;及 进行第二热制程以扩散该第三掺杂区内之离子进 入该基材内形成接面区。2.如申请专利范围第1项 之方法,更包含于上述之第二热制程之后进行金属 连线制程,以于该基材上方形成导体连线。3.如申 请专利范围第1项之方法,其中上述之场氧化隔离 区域至少包含场氧化隔杂区域,该场氧化隔离区域 系由该基材加热成长而成。4.如申请专利范围第1 项之方法,其中上述之闸极绝缘层至少包含氧化层 ,该氧化层系于一含氧环境中,由该基材加热成长 而成,该氧化层之厚度约为20埃至300埃之间。5.如 申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一掺杂 区系以离子植入方式形成,植入之离子为含磷或含 砷之离子。6.如申请专利范围第5项之方法,其中上 述之第一掺杂区离子植入之能量约为10KeV至100KeV 之间,剂量约为1E12 atoms/cm2至1E14 atoms/cm2之间。7.如 申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二掺杂 区系使用具倾斜角的离子植入方式形成,倾斜角约 为10度至60度之间,植入之离子为含磷或含砷之离 子。8.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之第 二掺杂区离子植入之能量约为5KeV至150KeV之间,剂 量约为1E14 atoms/cm2至5E16 atoms/cm2之间。9.如申请专 利范围第1项之方法,其中上述之覆盖层至少包含 液相沈积(liquid phase deposition;LPD)之氧化层,其厚度 约为500埃至3000埃之间。10.如申请专利范围第1项 之方法,其中上述之侧壁结构至少包含氧化层间隙 壁,该氧化层间隙壁系由沈积并回蚀一氧化层所形 成。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之 该矽化金属层之形成至少包含以下步骤: 形成金属层于该基材上; 进行第一热制程,以形成矽化金属层于该功能性元 件区之该闸极多晶矽结构及该第一掺杂区之上方; 及 去除未反应为该矽化金属层之金属。12.如申请专 利范围第11项之方法,其中上述之金属层至少包含 钛、钴、镍、钨、及铂其中之一。13.如申请专利 范围第11项之方法,其中上述之第一热制程至少包 含一快速热处理制程,其温度约为600℃至1100℃之 间。14.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之 第三掺杂区系以离子植入方式形成,植入之离子为 含磷或含砷之离子。15.如申请专利范围第14项之 方法,其中上述之第三掺杂区离子植入之能量约为 0.5KeV至120KeV之间,剂量约为5E14 atoms/cm2至5E16 atoms/cm 2之间。16.如申请专利范围第1项之方法,其中上述 之介电层至少包含以化学气相沈积法形成之氧化 层。17.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之 第二热制程至少包含一快速热处理制程,其温度约 为850℃至1150℃之间。18.一种形成电晶体于半导体 基材之方法,该方法至少包含以下步骤: 形成隔离区域于该基材上,该隔离区域将该基材分 隔为静电防设区及功能性元件区; 形成闸极绝缘层于该静电防护区及该功能性元件 区上; 形成多晶矽层于该闸极绝缘层上; 去除部分之该多晶矽层以形成间极多晶矽结构于 该静电防护区及该功能性元件区上; 掺杂该静电防护区及该功能性元件区,以于该基材 内未被该闸极多晶矽结构覆盖区域的下方形成第 一掺杂区,该第一掺杂区系以离子植入方式形成, 植入之离子为含磷或含砷之离子; 掺杂该静电防护区,以于该基材内形成不对称于该 闸极多晶矽结构的第二掺杂区,该第二掺杂区系使 用具倾斜角的离子植入方式形成,倾斛角约为10度 至60度之间,植入之离子为含磷或含砷之离子; 形成一覆盖层于该静电防设区上; 形成一侧壁结构于该功能性元件区之该闸极多晶 矽结构上; 形成金属层于该基材上; 进行第一热制程,以形成矽化金属层于该功能性元 件区之该闸极多晶矽结构及该第一掺杂区之上方; 去除未反应为该矽化金属层之金属; 掺杂该矽化金属层,以形成第三掺杂区于该矽化金 属层内,该第三掺杂区系以离子植入方式形成,植 入之离子为含磷或含砷之离子; 形成介电层于该基材上; 进行第二热制程以扩散该第三掺杂区内之离子进 入该基材内形成接面区;及 进行金属连线制程,以于该基材上方形成导体连线 。19.如申请专利范围第18项之方法,其中上述之场 氧化隔离区域至少包含场氧化隔离区域,该场氧化 隔离区域系由该基材加热成长而成。20.如申请专 利范围第18项之方法,其中上述之闸极绝缘层至少 包含氧化层,该氧化层系于一含氧环境中,由该基 材加热成长而成,该氧化层之厚度约为20埃至300埃 之间。21.如申请专利范围第18项之方法,其中上述 之第一掺杂区离子植入之能量约为10KeV至100KeV之 间,剂量约为1E12 atoms/cm2至1E14 atoms/cm2之间。22.如 申请专利范围第18项之方法,其中上述之第二掺杂 区离子植入之能量约为5KeV至150KeV之间,剂量约为1E 14 atoms/cm2至5E16 atoms/cm2之间。23.如申请专利范围 第18项之方法,其中上述之覆盖层至少包含液相沈 积(liquid phase deposition;LPD)之氧化层,其厚度约为500 埃至3000埃之间。24.如申请专利范围第18项之方法, 其中上述之侧壁结构至少包含氧化层间隙壁,该氧 化层间隙壁系由沈积并回蚀一氧化层所形成。25. 如申请专利范围第18项之方法,其中上述之金属层 至少包含钛、钴、镍、钨、及铂其中之一。26.如 申请专利范围第18项之方法,其中上述之第一热制 程至少包含一快速热处理制程,其温度约为600℃至 1100℃之间。27.如申请专利范围第18项之方法,其中 上述之第三掺杂区离子植入之能量约为0.5KeV至120 KeV之间,剂量约为5E14 atoms/cm2至5E16 atoms/cm2之间。28 .如申请专利范围第18项之方法,其中上述之介电层 至少包含以化学气相沈积法形成之氧化层。29.如 申请专利范围第18项之方法,其中上述之第二热制 程至少包含一快速热处理制程,其温度约为850℃至 1150℃之间。图式简单说明: 第一图显示本发明中形成闸极多晶矽结构及第一 掺杂区之截面示意图。 第二图显示本发明中掺杂静电防护区,以于基材内 形成不对称于闸极多晶矽结构的第二掺杂区之截 面示意图。 第三图显示本发明中形成覆盖层于静电防护区上 之截面示意图。 第四图显示本发明中形成一侧壁结构于功能性元 件区之闸极多晶矽结构上之截面示意图。 第五图显示本发明中形成矽化金属层于功能性元 件区之闸极多晶矽结构及第一掺杂区之上方之截 面示意图。 第六图显示本发明中掺杂矽化金属层,以形成第三 掺杂区于矽化金属层内之截面示意图。 第七图显示本发明中形成介电层于基材上的截面 示意图。 第八图显示本发明中进金属连线制程,以形成导体 连线之截面示意图。 |
