| 主权项 |
1.一种脉波中间点侦测电路,包括: 一开关控制讯号产生器,用以接收一欲侦测脉波之 输入讯号,并依据该欲侦测脉波产生一第一开关控 制讯号、一第二开关控制讯号、一第三开关控制 讯号、一第四开关控制讯号、一第五开关控制讯 号与一第六开关控制讯号,其中该第一开关控制讯 号与该第四开关控制讯号为互补关系;以及该第二 开关控制讯号与该第三开关控制讯号为互补关系; 一比较器,用以依据其正输入端与负输入端之输入 讯号,输出一脉波中间点讯号; 一第一受控电流源,其输入端耦接一电压源,其输 出端耦接该比较器之负输入端,且该第一受电流源 之开关状态受到该第一开关控制讯号控制; 一第二受控电流源,其输入端耦接该比较器之负输 入端,其输出端耦接至一接地电压,且该第二受控 电流源之开关状态受到该第二开关控制讯号控制; 一第三受控电流源,其输入端耦接端电压源,其输 出端耦接该比较器之正输入端,且该第三受控电流 源之开关状态受到该第三开关控制讯号控制; 一第四受控电流源,其输入端耦接该比较器之正输 入端,其输出端耦接至该接地电压,且该第四受控 电流源之开关状态受到该第四开关控制讯号控制; 一第一电容器,跨接于该比较器之负输入端与该接 地电压之间; 一第二电容器,跨接于该比较器之正输入端与该接 地电压之间; 一第一通路开关,跨接于该比较器之负输入端与一 重设电容电压源之间,且该第一通路开关之开关状 态受到该第五开关控制讯号控制;以及 一第二通路开关,跨接于该比较器之正输入端与该 重设电容电压源之间,且该第二通路开关之开关状 态受到该第六开关控制讯号控制; 其中,当该开关控制讯号产生器接收到该却侦测脉 波之输入讯号时,在该欲侦测脉波变为高准位时, 该开关控制讯号产生器会在该欲侦测脉波之每半 周期的升降边缘,依序并循环送出半周期之高准位 之该第二开关控制讯号、该第五开关控制讯号、 该第四开关控制讯号与该第六开关控制讯号。2. 如申请专利范围第1项所述之脉波中间点侦测电路 ,其中当该第二受控电流与该第三受控电流源为开 启状态时,该第一受控电流源、该第四受控电流源 、该第一通路开关与该第二通路开关都为关闭状 态,使得该第一电容器开始放电,且该第二电容器 开始充电。3.如申请专利范围第2项所述之脉波中 间点侦测电路,其中当该第二受控电流与该第三受 控电流源为关闭状态时,该第一通路开关开启状态 ,使得该比较器之正输入端维持充电的电压,而其 负输入端接至该重设电容电压源作重设的动作。4 .如申请专利范围第3项所述之脉波中间点侦测电 路,其中当该第一通路开关为关闭状态时,该第一 受控电流源与该第四受控电流源为开启状态,使得 该第一电容器开始充电,且该第二电容器开始放电 。5.如申请专利范围第4项所述之脉波中间点侦测 电路,其中当该第一受控电流源与该第四受控电流 源为关闭状态时,该第二通路开关为开启状态,使 得该比较器负输入端维持充电的电压,而其正输入 端接至该重设电容电压源作重设的动作。6.如申 请专利范围第1项所述之脉波中间点侦测电路,其 中该第一受控电流源包括一第一PMOS电晶体,该第 一PMOS电晶体之源极耦接该电压源,其闸极耦接该 第一开关控制讯号,其汲极耦接该比较器之负输入 端。7.如申请专利范围第6项所述之脉波中间点侦 测电路,其中该第一受控电流源更包括一第二PMOS 电晶体,该第二PMOS电晶体之源极耦接该第一PMOS电 晶体之汲极,其闸极耦接一第七开关控制讯号,其 汲极耦接该比较器之负输入端。8.如申请专利范 围第1项所述之脉波中间点侦测电路,其中该第二 受控电流源包括一第一NMOS电晶体,该第一NMOS电晶 体之源极耦接该接地电压,其闸极耦接该第二开关 控制讯号,其汲极耦接该比较器之负输入端。9.如 申请专利范围第8项所述之脉波中间点侦测电路, 其中该第二受控电流源更包括一第二NMOS电晶体, 该第二NMOS电晶体之源极耦接该第一NMOS电晶体之 汲极,其闸极耦接一第八开关控制讯号,其汲极耦 接该比较器之负输入端。10.如申请专利范围第1项 所述之脉波中间点侦测电路,其中该第三受控电流 源包括一第三PMOS电晶体,该第三PMOS电晶体之源极 耦接该电压源,其闸极耦接该第三开关控制讯号, 其汲极耦该比较器之正输入端。11.如申请专利范 围第10项所述之脉波中间点侦测电路,其中该第三 受控电流源更包括一第四PMOS电晶体,该第四PMOS电 晶体之源极耦接该第三PMOS电晶体之汲极,其闸极 耦接一第七开关控制讯号,其汲极耦接该比较器之 负输入端。12.如申请专利范围第1项所述之脉波中 间点侦测电路,其中该第四受控电流源包括一第三 NMOS电晶体,该第三NMOS电晶体之源极耦接该接地电 压,其闸极耦接该第四开关控制讯号,其汲极耦接 该比较器之正输入端。13.如申请专利范围第12项 所述之脉波中间点侦测电路,其中该第四受控电流 源更包括一第四NMOS电晶体,该第四NMOS电晶体之源 极耦接该第三NMOS电晶体之汲极,其闸极耦接一第 八开关控制讯号,其汲极耦接该比较器之正输入端 。14.如申请专利范围第1项所述之脉波中间点侦测 电路,其中该第一通路开关包括一第一传输闸,该 第一传输闸具有一N型控制端与一P型控制端,分别 耦接该第五开关控制讯号与互补于该第五开关控 制讯号之一第五开关控制互补讯号,用以依据该第 五开关控制讯号与该第五开关控制互补讯号之电 压准位来决定其之开关状态。15.如申请专利范围 第14项所述之脉波中间点侦测电路,其中该第一传 输闸系由一NMOS电晶体与一PMOS电晶体并联所组成 。16.如申请专利范围第1项所述之脉波中间点侦测 电路,其中该第二通路开关包括一第二传输闸,该 第二传输闸具有一N型控制端与一P型控制端,分别 耦接该第六开关控制讯号与互补于该第六开关控 制讯号之一第六开关控制互补讯号,用以依据该第 六开关控制讯号与该第六开关控制互补讯号之电 压准位来决定其之开关状态。17.如申请专利范围 第16项所述之脉波中间点侦测电路,其中该第二传 输闸系由一NMOS电晶体与一PMOS电晶体并联所组成 。图式简单说明: 第一图绘示的是依照本发明一较佳实施例的一种 脉波中间点侦测电路的电路方块图; 第二图绘示的是本发明之脉波中间点侦测电路的 电路图实例;以及 第三图绘示的是本发明之脉波中间点侦测电路中 各相关讯号的时序图。 |
