Verfahren zum Herstellen tiefdiffundierter n-leitender Gebiete in einem p-dotierten Siliziumsubstrat

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen tiefdiffundierter n-leitender Gebiete (8, 9) in einem p-dotierten Siliziumsubstrat (1), bei dem für den n-Fremdstoff Schwefel verwendet wird, das in Silizium relativ rasch diffundiert.