LOW CONTAMINATION HIGH DENSITY PLASMA PROCESSING CHAMBER AND METHODS FOR PROCESSING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE,申请号KR1020017003624-传众专利搜索

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发明名称	LOW CONTAMINATION HIGH DENSITY PLASMA PROCESSING CHAMBER AND METHODS FOR PROCESSING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号	KR20010075264(A)	申请公布日期	2001.08.09
申请号	KR1020017003624	申请日期	2001.03.21
申请人		发明人
分类号	H01L21/3065	主分类号	H01L21/3065
代理机构		代理人
主权项
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