Herstellungsverfahren für MOS-Halbleiterbauelement,申请号DE19956021579-传众专利搜索

发明名称	Herstellungsverfahren für MOS-Halbleiterbauelement
摘要
申请公布号	DE69521579(D1)	申请公布日期	2001.08.09
申请号	DE19956021579	申请日期	1995.09.15
申请人	STMICROELECTRONICS, INC.	发明人	CUNNINGHAM, JAMES A.
分类号	H01L21/265;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/786;H01L21/28	主分类号	H01L21/265
代理机构		代理人
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