| 发明名称 | 半导体装置的电容器的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的主要目的是提供既具有优良电气特性又能确保高容量的半导体装置的电容器制造方法。该半导体装置的电容器制造方法包含如下工序:在半导体衬底的下部结构物上形成下部电极;在所述下部电极上形成非晶质TaON薄膜之后,在NH3气氛中实施热处理工序,形成Ta3N5电介质膜;在所述Ta3N5电介质膜上形成上部电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1307359A | 申请公布日期 | 2001.08.08 |
| 申请号 | CN00137649.7 | 申请日期 | 2000.12.23 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 李起正;梁洪善 |
| 分类号 | H01L21/70;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/70 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 杨梧 |
| 主权项 | 1．一种半导体装置的电容器制造方法，其特征在于，包含如下步骤：在半导体衬底上形成下部电极；在所述下部电极上形成非晶质TaON膜之后，在NH3气氛中实施热处理，形成Ta3N5电介质膜；在所述Ta3N5电介质膜上形成上部电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||