| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括一个衬底、一个在该衬底上面形成的并包含有硅氟键的绝缘膜，和一个在该绝缘膜上形成的钛—基金属布线层，该钛—基金属布线层包含有从绝缘膜扩散来的氟并且具有小于１×１０＃+[20]atoms/cm＃+[３]的氟浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN1069446C | 申请公布日期 | 2001.08.08 |
| 申请号 | CN95117116.X | 申请日期 | 1995.09.01 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 松能正 |
| 分类号 | H01L23/52;H01L21/28;H01L21/324;H01L21/768 | 主分类号 | H01L23/52 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;王忠忠 |
| 主权项 | 1．一种半导体器件，包括：一个衬底；一个在所述衬底上形成的并含有硅-氟键的第一绝缘膜；一个在所述第一绝缘膜上形成的钛-基金属布线层，所述钛-基金属布线层包含有从所述绝缘膜扩散的氟并且具有小于1×1020atoms/cm3的氟浓度；以及在所述金属布线层上形成的作为电极的芯柱。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||