发明名称 | 半导体激光器激励的固体激光器 | ||
摘要 | 本发明的半导体激光器激励的固体激光器设有固体激光器介质、激励固体激光器介质的半导体激光器、检测半导体激光器的振荡光谱中用于激励固体激光器介质的波长区域的光谱仪、运算手段、根据运算手段的输出而控制半导体激光器的温度的温度控制手段,其中所述运算手段是将由光谱仪检测到的检测光谱的面积进行标准化,同时计算标准化后的检测光谱与标准化的相关于固体激光器介质激光激励的吸收光谱的重叠面积的比较器等。 | ||
申请公布号 | CN1307737A | 申请公布日期 | 2001.08.08 |
申请号 | CN98814209.0 | 申请日期 | 1998.11.19 |
申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 佐藤信二;福村今日子 |
分类号 | H01S3/0941;H01S5/024 | 主分类号 | H01S3/0941 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 孙敬国 |
主权项 | 1.一种半导体激光器激励的固体激光器,其特征在于,设有固体激光器介质,激励所述固体激光器的半导体激光器,检测所述半导体激光器的振荡光谱中用于激励所述固体激光器介质的波长区域的光谱仪,运算手段,所述运算手段将由所述光谱仪检测到的检测光谱的面积进行标准化,同时计算标准化后的检测光谱与标准化的相关于所述固体激光器介质激光激励的吸收光谱的重叠面积,根据所述运算手段的输出而控制所述半导体激光器的温度的温度控制手段。 | ||
地址 | 日本东京 |