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发明名称 Semiconductor device with high gettering capability to impurity present in semiconductor layer of SOI substrate
摘要
申请公布号 US6271541(B1) 申请公布日期 2001.08.07
申请号 US09/476780 申请日期 1999.12.30
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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