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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschaltung mit Grabenbereichen und Feldoxidbereichen
摘要
申请公布号 DE4444609(C2) 申请公布日期 2001.08.02
申请号 DE19944444609 申请日期 1994.12.14
申请人 ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE, DAEJEON;KOREA TELECOMMUNICATION AUTHORITY, SEOUL/SOUL 发明人 RYUM, BYUNG-RYUL;HAN, TAE-HYEON;LEE, SOO-MIN;CHO, DEOK-HO;KANG, JIN-YOUNG
分类号 H01L21/316;H01L21/32;H01L21/76;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/762 主分类号 H01L21/316
代理机构 代理人
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