| 摘要 |
<p>L'invention concerne un système de traitement thermique et un procédé de traitement d'un substrat de semi-conducteur. Un inducteur couple l'energie à un suscepteur, l'espace entre ledit inducteur (107) et le suscepteur (104) étant configuré pour les phases à régime permanent d'un traitement épitaxial par dépôt de vapeur chimique. On améliore l'uniformité de la température du suscepteur pendant les phases transitoires du processus, notamment la montée de la chaleur et sa baisse par refroidissement, en faisant varier la distance de séparation entre l'inducteur et le suscepteur. Les températures non uniformes sont une cause commune de glissement. Des aspects supplémentaires de l'invention permettent d'obtenir une protection thermique améliorée des bords et de la surface du suscepteur. Des suscepteurs plus épais permettent également d'améliorer l'uniformité de la température.</p> |
