| 主权项 |
1.一种新颖之旋光性燕尾型液晶材料,其系为一种具旋光性材料(chiral material)所合成之化合物,该化合物之旋光中心(chiral center)系直接连接在其硬核(rigid core)上,旋光尾端(chiral tail)则连接有一燕尾基(swallow-tailed group),其通式如下列所示:,其中R1=-CmH2m+1,R2=-(CH2)qCH(CnH2n+1)2,m=6-20,q=0,n=1,A代表硬核。2.如申请专利范围第1项所述之一种新颖之旋光性燕尾型液晶材料,其中q可为1。3.如申请专利范围第1项所述之一种新颖之旋光性燕尾型液晶材料,其中n可为2或3。4.如申请专利范围第1项所述之一种新颖之旋光性燕尾型液晶材料,其中该硬核A之分子可为如下结构:5.一种新颖之旋光性燕尾型液晶材料之制造方法,该方法包含下列步骤:(1)将克分子重量为0.025莫耳(mol)具旋光性之2-丙酸(6-甲氧基2-)基丙酸【(S)-2-(6-methoxy-2-naphthly)propionic acid】、0.0275莫耳(mol)之烷基醇(allkanol)、0.275莫耳(mol)碳化二环己醯亚胺【dicyolohexylcarbodiimide(DCC)】及0.025莫耳(mol)之4-二甲胺基啶【4-dimethylaminopyridine(DMP)】等原料一起溶解于100毫升(ml)之二氯甲烷(dichloromethane)中,并在室温下,不断搅拌一预定时间后,再进一步精炼,去除化合物中所存在之杂质,即得所需之中间体(S)-2-(6-甲氧基-2-)基丙酸(烷基)酯【alkyi (S)-2-(6-minethoxy-2-naphthly)pro-pionates】;(2)将克分子重量为0.0225莫耳(mol)上述步骤所制得之中间体之(S)-2-(6-甲氧基-2-)基丙酸(烷基)酯【alkyl (S)-2-(6-methoxy-2-naphthly)propionates】溶解于60毫升(ml)之二氯甲烷(dich-loromethane)中后,再加入0.025莫耳(mol)三溴硼烷(tribromeborane)之后,在温度为摄氏零下20度之温度下,搅拌一预定时间;再于摄氏零度之温度下,搅拌另一预定时间,使其完全反应后,再精炼去除杂质;最后,使用己烷(hexane)再结晶,即得到所需之中间体(s)-2-(6-羟基-2-)基丙酸(烷基)酯【alkyl (s)-2-(6-hydoxy-2-naphthyl)propionates】;(3)再将克分子重量为0.0116莫耳(mol)由第2步骤所制得之中间体之4-(4'-烷氧酚)基苯酸【4-(4'-alkyoxyphenyl)benzonic acid】、0.0105莫耳(mol)之(s)-2-(6-羟基-2-)基丙酸(烷基)酯【alkyl (s)-2-(6-hydoxy-2-naphthyl) propionates】、0.0126莫耳(mol)之碳化二环己醯亚胺【dicyolohexylcarbo-diimide(DCC)】0.011莫耳(mol)之4-二甲胺基啶【4-dimethylaminopyridine(DMP)】及3毫升(ml)之四氢喃(terahydrofuran)等原料均匀予以混合;其次,于室温下,不断搅拌一预定时间后,即可得到所需含有80-90%之该旋光性燕尾型液晶材料。6.如申请专利范围第5项所述之一种新颖之旋光性燕尾型液晶材料之制造方法,其中第一步骤之预定时间约为五天。7.如申请专利范围第5项所述之一种新颖之旋光性燕尾型液晶材料之制造方法,其中第二步骤之预定时间约为50分钟。8.如申请专利范围第5项所述之一种新颖之旋光性燕尾型液晶材料之制造方法,其中第三步骤之预定时间约为五天。9.如申请专利范围第5项所述之一种新颖之旋光性燕尾型液晶材料之制造方法,其第一步骤中所产生之中间体,其化学式如下:10.如申请专利范围第5项所述之一种新颖之旋光性燕尾型液晶材料之制造方法,其第二步骤中所产生之中间体,其化学式如下:图式简单说明:第一图所示乃螺旋状态反铁电性液晶(Antiferroelectric liquid crystal)之分子结构示意图;第二图所示乃解旋状态反铁电性液晶(Antiferroelectric liquid crystal)之分子结构示意图;第三图所示乃螺旋状态铁电性液晶(Ferroelectricliquid crystal)之分子结构示意图;第四图所示乃铁电性液晶及反铁电性液晶之选择性反射光谱示意图;第五图所示乃铁电性液晶之解旋态分子之排列示意图;第六图所示乃反铁电性液晶之解旋态分子之排列示意图;第七图所示乃反铁电性液晶分子之共轭系统示意图;第八图所示乃反铁电性液晶分子末端旋光烷链之结构示意图;第九图所示乃硬核结构对反铁电性液晶之影响示意图;第十图所示乃连结基对反铁电性液晶之影响示意图;第十一图所示乃习知三种反铁电性材料之分子结构式;第十二图所示乃第十一图所示三种反铁电性材料混合呈连续性之V型转换之示意图;第十三图所示乃本发明进行光学纹理图监定时所得之纹理图;第十四图所示乃本发明进行介电常数试验后之结果示意图;第十五图所示乃本发明进行转换行为所得结果之示意图;第十六图所示乃本发明之进行V型转换之示意图。 |
