发明名称 被处理体之收纳装置及搬出入台
摘要 本发明系有关一种被处理体之收纳装置,系将半导体晶圆片等被处理体搬运于各种之处理装置间时,为于充满非活性气体之空间内收纳被处理体之状态下予以搬运者。该收纳装置系具有于密闭下被开闭之开闭门46,并具有于内部收纳半导体晶圆片W之容器本体40。于该容器本体40上,设有一为导入非活性气体之导入埠,及一为排出内部包围气体之排气埠。连接于导入埠且向容器本体40内部延伸入之导入喷嘴的前端侧上,设有抑制被导入气体之扩散力的扩散力抑制构件56。连接于排气埠且向容器本体40内部延伸入之排气喷嘴的前端侧上,设有抑制被排出气体之聚集力的聚集力抑制构件60。
申请公布号 TW448485 申请公布日期 2001.08.01
申请号 TW088106012 申请日期 1999.04.15
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 守谷 修司
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种被处理体之收纳装置,其特征在于包含有:一容器本体,具有一可在密闭状态下开关之开闭门,其内部系用以收纳被处理体;一导入埠,系为导入非活性气体而设置于前述容器本体者;一排气埠,系为排出内部包围气体而设置于前述容器本体者;一导入喷嘴,系连接于前述导入埠并延伸入前述容器本体内部者;及一扩散力抑制构件,系设置于前述导入喷嘴之前端侧以抑制被导入气体之扩散力者。2.如申请专利范围第1项的被处理体之收纳装置,其中该扩散力抑制构件系用以陶瓷或金属纤维烧结而成的多孔性质烧结体所构成。3.如申请专利范围第1或2项的被处理体之收纳装置,其中该导入喷嘴上设置着复数之气体喷出孔,并将前述扩散力抑制构件设置成可复盖该等气体喷出孔。4.如申请专利范围第1项的被处理体之收纳装置,其中该扩散力抑制构件具有:一气体扩散容器,系在连接于前述导入喷嘴的同时向前述被处理体之平面方向扩展,且其一侧面被开口者;及,一多孔性质烧结体,系设置成能复盖前述气体扩散容器之开口部分,且用以陶瓷或金属纤维烧结而作成者。5.如申请专利范围第1或4项之被处理体之收纳装置,其更具有:一排气喷嘴,系连接于前述排气埠并向前记容器本体内部延伸者;及,一聚集力抑制构件,系设置于前述排气喷嘴之前端侧,以抑制所排出气体之聚集力者。6.如申请专利范围第1或4项之被处理体之收纳装置,其于前述导入埠与排气埠上,分别设置着藉推压力而被打开之推压力开闭阀。7.一种搬出入台,系为搬出入一种被处理体之收纳装置者,该收纳装置系至少具有一容器本体及设置于前述容器本体上之导入埠与排气埠;该搬出入台可装载着该收纳装置,并在该收纳装置与预定处理装置间搬出或搬入被处理体者;其特征是具有:一装载台,系用以装载前述收纳装置者;一供应装置,系设置于前述装载台上,并呈可装卸的连接于前述收纳装置之导入埠,以对前述容器本体内供应非活性气体者;及,一排气装置,系装置于前述装载台,并呈可装卸的连接于前述收纳装置之排气埠,以排出前述容器本体内之包围气体者。8.一种搬出入台,系为搬出入一种被处理体之收纳装置者,该收纳装置系至少具有一容器本体及设置于前述容器本体之导入埠与排气埠,同时于前述导入埠与排气埠上分别设置着藉推压力而被打开之推压力开闭阀者;该搬出入台可装载着该收纳装置,并在该收纳装置与预定处理装置间搬出或搬入被处理体者,其特征是具有:一装载台,系用以装载前述收纳装置者;一供应装置,系设置于前述装载台,并呈可装卸的连接于前述收纳装置之导入埠,以对前述容器本体内供应非活性气体者;及,一排气装置,系装置于前述装载台,并呈可装卸的连接于前述收纳装置之排气埠,以排出前述容器本体内之包围气体者;且前述气体供应装置系具有一导入用接合喷嘴,其系对应于前述收纳装置之导入埠并设置成突出于前述装载台上者;且前述排气装置系具有一排气用接合喷嘴,其系对应于前述收纳装置之排气埠并设置成突出于前述装载台上者。图式简单说明:第一图系显示有关本发明之收纳装置的分解斜视图。第二图系显示于第一图之收纳装置的横断面图。第三图显示表示于第一图之收纳装置之容器本体的部分截断面图。第四图系显示于第三图之容器本体的部分扩大断面图。第五图系显示将本发明之收纳装置装载于搬出入台的状态图。第六图系显示搬出入台的概略斜视图。第七图系显示正要接合收纳装置之气体埠当前的部分扩大断面图。第八图系显示接合着收纳装置之气体埠状态的部分扩大断面图。第九图系显示扩散力抑制构件之变形例的斜视图。第十图系显示于第八图之抑制构件的断面图。第十一图A-第十一图C系显示为进行本发明评估之评估装置的概略构造图。第十二图系说明本发明之评估结果的图表。
地址 日本