| 主权项 |
1.一种防止闸极与源/汲极桥接之自行对准矽化钴制程,适用于一基底,其具有一闸极及位于闸极两侧之基底掺杂区,包括下列步骤:(a)于该闸极侧壁形成一表面由氮化物构成之双层绝缘间隙壁;(b)顺应性形成一金属钴层;(c)对该金属钴层实施第一次热退火制程,以于该闸极及基底掺杂区表面形成矽化钴层,并于该双层间隙壁表面留下未反应之金属钴层;(d)选择性蚀刻去除该双层间隙壁之氮化物及未反应之金属钴层;及(e)实施第二次热退火制程。2.如申请专利范围第1项所述之制程,其中,该步骤(a)系于该闸极侧壁形成一由氮化物及氧化物构成之双层绝缘间隙壁。3.如申请专利范围第1项所述之制程,其中,该步骤(d)系以热磷酸溶液来选择性蚀刻去除该双层间隙壁之氮化物及未反应之金属钴层。4.一种防止闸极与源/汲极桥接之自行对准矽化钴制程,适用于一半导体基底,该方法包括下列步骤:(a)于该半导体基底表面形成一闸极及位于该闸极两侧之淡掺杂区;(b)顺应性形成一绝缘层于该闸极、淡掺杂区及半导体基底表面;(c)顺应性形成一氮化矽层于该绝缘层表面;(d)回蚀刻该氮化矽层及绝缘层以于该闸极侧壁形成表面为氮化物之双层间隙壁;(e)于该淡掺杂区实施离子掺杂步骤以形成具有LDD结构之源/汲极;(f)顺应性形成一金属钴层于该闸极、双层间隙壁、源/汲极、及半导体基底表面;(g)对该金属钴层实施第一次热退火制程,以于该闸极及源/汲极表面表成矽化钴层,并于该双层间隙壁表面留下未反应之金属钴层;(h)以热磷酸溶液蚀刻去除该双层间隙壁之氮化物及未反应之金属钴层;及(i)实施第二次热退火制程。5.如申请专利范围第4项所述之制程,其中,该步骤(b)系顺应性形成一氧化层于该闸极、淡掺杂区及半导体基底表面。图式简单说明:第一图系显示传统之金属矽化钛之制程剖面图。第二图A至第二图E系代表本发明之一实施例中,防止闸极与基底掺杂区桥接之自行对准矽化钴制程剖面图。 |
