| 主权项 |
1.一种高压元件,架构于一基底上,其包括:一第一导电型第一井区,位于该基底中;一第二导电型第二井区,位于该基底中,且该第二井区与该第一井区不相连;复数个场氧化层,位于该第二井区之表面;一浅沟渠隔离,位于该些场氧化层之间;一第二导电型第一掺杂区,位于该些场氧化层下方之该第二井区中;一第一导电型第二掺杂区,位于该浅沟渠隔离下方之该第二井区中;一第一导电型第三井区,位于该第一井区中,且由该第一井区之表面延伸至该第一井区中;一闸极结构,位于该第一与该第二井区之间的该基底上,其中该闸极结构延伸覆盖部分该第一井区、该第三井区以及该场氧化层;一第二导电型源极区,位于该闸极结构之一侧的该第三井区中;以及一第二导电型汲极区,位于该闸极结构另一侧之该场氧化层旁所裸露之该第二井区中。2.如申请专利范围第1项所述之高压元件,其中该第一导电型为一N型时,则该第二导电型为一P型。3.如申请专利范围第1项所述之高压元件,其中该第一导电型为一P型时,则该第二导电型为一N型。4.如申请专利范围第1项所述之高压元件,其中该第三井区之一离子掺杂剂量大于该第一井区之一离子掺杂剂量。5.如申请专利范围第1项所述之高压元件,其中该第三井区之一离子掺杂剂量约为13个数量级。6.如申请专利范围第1项所述之高压元件,其中该第一井区之一离子掺杂剂量约为12个数量级。7.如申请专利范围第1项所述之高压元件,其中该第二井区之一离子掺杂剂量约为12个数量级。8.如申请专利范围第1项所述之高压元件,其中该第一掺杂区之一离子掺杂剂量约为12-14个数量级。9.如申请专利范围第1项所述之高压元件,其中该第二掺杂区之一离子掺杂剂量约为13个数量级。10.一种高压元件之制造方法,包括:提供一第一基底与一第二基底;于该第一基底与该第二基底内分别形成一第一P型井区与一第二P型井区;在该第一基底与该第二基底内分别形成一第一N型井区与一第二N型井区;在该第一基底与该第二基底之上形成一垫氧化层;在该垫氧化层上形成一图案化之氮化矽层,该氮化矽层裸露部分位于该第一N型井区上方以及位于该第二P型井区上方之该垫氧化层。在该氮化矽层所裸露之部分该垫氧化层下方之该第一N型井区内形成一第一N型掺杂区;在该氮化矽层所裸露之部分该垫氧化层下方之该第二P型井区中形成一第一P型掺杂区;在该第一N型掺杂区与该第一P型掺杂区上形成复数个场氧化层;移除该氮化矽层与该垫氧化层;于该些场氧化层之间,形成一浅沟渠隔离;于该第一基底之该浅沟渠隔离下方之该第一N型井区中以及该第一P型井区中,分别形成一第二P型掺杂区以及一第三P型井区;于该第二基底之该浅沟渠隔离下方之该第一P型井区中以及该第一N型井区中,分别形成一第二N型掺杂区以及一第三N型井区;在该第一基底与该第二基底之上分别形成一闸极结构,位于该第一基底上之该闸极结构位于该第一P型井区与该第一N型井区之间的该第一基底上,并延伸覆盖部分该第一与该第三P型井区以及该场氧化层,而于该第二基底上之该闸极结构位于该第二N型井区与该第二P型井区之间的该第二基底上,并延伸覆盖部分该第二与该第三N型井区以及该场氧化层;在该第一基底内的该第三P型井区与该第一N型井区中分别形成一N型汲极区与一N型源极区;以及在该第二基底内的该第三N型井区与该第二P型井区中分别形成一P型汲极区与一P型源极区。11.如申请专利范围第10项所述之高压元件之制造方法,其中该第三P型井区之一离子掺杂剂量大于该第一P型井区之一离子掺杂剂量。12.如申请专利范围第10项所述高压元件之制造方法,其中该第三N型井区之一离子掺杂剂量大于该第二N型井区之一离子掺杂剂量。13.如申请专利范围第10项所述之高压元件之制造方法,其中该第三P型井区之一离子掺杂剂量约为13个数量级。14.如申请专利范围第10项所述之高压元件之制造方法,其中该第三N型井区之一离子掺杂剂量约为13个数量级。15.如申请专利范围第10项所述之高压元件之制造方法,其中该第二P型掺杂区之一离子掺杂量约为13个数量级。16.如申请专利范围第10项所述之高压元件之制造方法,其中该第二N型掺杂区之一离子掺杂剂量约为13个数量级。17.如申请专利范围第10项所述之高压元件之制造方法,其中该第一P型井区与该第二P型井区之一离子掺杂剂量约为12个数量级。18.如申请专利范围第10项所述之高压元件之制造方法,其中该第一N型井区与该第二N型井区之一离子掺杂剂量约为12个数量级。19.如申请专利范围第10项所述之高压元件之制造方法,其中该第一N型掺杂区之一离子掺杂剂量约为12-14个数量级。20.如申请专利范围第10项所述之高压元件之制造方法,其中该第一P型掺杂区之一离子掺杂剂量约为12-14个数量级。21.一种高压元件之制造方法,包括:提供一基底;于该基底内形成一第一导电型第一井区;在该基底内形成一第二导电型第二井区,且该第一井区与该第二井区互不相连;在该基底上形成一垫氧化层;在该垫氧化层上形成一图案化之氮化矽层,该氮化矽层裸露部分位于该第二井区上方之该垫氧化层;在该氮化矽层所裸露之部分该垫氧化层下方之该第二井区内形成一第二导电型第一掺杂区;在该第一掺杂区上形成复数个场氧化层;移除该氮化矽层与该垫氧化层;于该些场氧化层之间,形成一浅沟渠隔离;于该浅沟渠隔离下方之该第二井区中以及该第一井区中,分别形成一第一导电型第二掺杂区以及一第一导电型第三井区;在该第一与该第二井区之间的该基底上形成一闸极结构,该闸极结构延伸覆盖部分该第一与该第三井区以及该场氧化层;以及于该闸极结构所裸露之该基底内的该第三井区与该第二井区一第二导电型汲极区与一第二导电型源极区。22.如申请专利范围第21项所述之高压元件之制造方法,其中该第一导电型为一N型时,则该第二导电型为一P型。23.如申请专利范围第21项所述之高压元件之制造方法,其中该第一导电型为一P型时,则该第二导电型为一N型。24.如申请专利范围第21项所述之高压元件之制造方法,其中该第三井区之一离子掺杂剂量大于该第一井区之一离子掺杂剂量。25.如申请专利范围第21项所述之高压元件之制造方法,其中该第三井区之一离子掺杂剂量约为13个数量级。26.如申请专利范围第21项所述之高压元件之制造方法,其中该第一井区之一离子掺杂剂量约为12个数量级。27.如申请专利范围第21项所述之高压元件之制造方法,其中该第二井区之一离子掺杂剂量约为12个数量级。28.如申请专利范围第21项所述之高压元件之制造方法,其中该第一掺杂区之一离子掺杂剂量约为12-14个数量级。29.如申请专利范围第21项所述之高压元件之制造方法,其中该第二掺杂区之一离子掺杂剂量约为13个数量级。图式简单说明:第一图绘示为习知的一种高压元件之结构剖面图;第二图A至第二图D所示,为根据本发明一较佳实施例之一种高压元件之制造方法流程剖面图。 |
