| 主权项 |
1.一种晶圆托架夹钳环,系用于一半导体加工装置中,该夹钳环包括:一环形盘,系由钼质形成且具有一由晶圆内侧啮合边缘所包围之大致呈圆形之开口,该盘具有一沈积室侧及一晶圆啮合侧、三个闩锁安装孔洞及掣爪组系邻接着该盘之晶圆啮合侧上之内缘并且以等角度间隔环绕着该盘设置、三个螺旋弹簧安装孔洞系以等角度间隔环绕着该盘设置、以及三个叶片弹簧安装孔洞系以等角度间隔环绕着该盘设置。2.如申请专利范围第1项之晶圆托架夹钳环,其中:晶圆啮合边缘之大部分周边系圆形且包括一横跨剩余周边之弦区段,以使其外型配合周边上具有一定位平直缘之传统半导体晶圆的外缘。3.如申请专利范围第1项之晶圆托架夹钳环,其中:环形盘具有大致上为平坦的上表面及下表面。4.一种固持一晶圆于一半导体晶圆加工装置且沈积一钽质与金质层于该晶圆上之方法,该方法之步骤包括:将有薄膜环绕沉积在边缘之该晶圆面与基本上由钼所构成之环形碟片内缘啮合,且藉此将晶圆夹持至晶圆托架;固持晶圆于一物理气相沈积装置室中,其侧边系以一面对着一钽质涂覆材料飞溅靶的环形钼质盘啮合着;藉由一飞溅涂覆加工程序沈积一钽质薄膜于晶圆上时亦将沈积一钽质环形层于邻接钼质环内缘之环状区域上;固持晶圆于一物理气相沈积装置室中,其侧边系以一面对着一金质涂覆材料飞溅靶的环形钼质盘啮合着;藉由一飞溅涂覆加工程序沈积一金质薄膜于晶圆上时亦将沈积一金质环形层于邻接钼质环内缘之环状区域上;及自托架移除晶圆并于一第二晶圆上执行啮合步骤,且在第二晶圆上重复该固持与沈积步骤。5.如申请专利范围第4项之方法,另包括重复至少一千次该自托架移除一晶圆之步骤,再于一另一晶圆上执行啮合步骤,以及于另一晶圆上执行该固持与沈积步骤。6.如申请专利范围第4项之方法,其中:该啮合步骤又包括闩锁该晶圆至环形钼质环的步骤,其中系藉由旋转复数个安装于盘上背对于该靶之一侧的闩锁至晶圆背对于该靶之表面上以便将晶圆夹持于闩锁与钼质盘之间。7.如申请专利范围第4项之方法,其中:配置一平坦之环形盘,系由钼质形成且具有一大致呈圆形之晶圆内侧啮合边缘、三个闩锁安装孔洞及掣爪组系邻接着内缘并且以等角度间隔环绕着该盘设置、三个螺旋弹簧安装孔洞系以等角度间隔环绕着该盘设置、以及三个叶片弹簧安装孔洞系以等角间隔环绕着该盘设置。8.一种减缓夹钳环在一半导体晶圆真空沈积装置中翘曲之方法,该方法之步骤包括:自一沈积装置之晶圆托架上移除一具有涂覆材料之沈积层的夹钳环;及以一替代夹钳环代替业经移除之夹钳环,其中该替代夹钳环系由一具有热膨胀系数几乎与在装置中沈积于晶圆上之涂覆材料的热膨胀系数相等之材料所形成。9.如申请专利范围第8项之方法,其中:沈积之涂覆材料包括钽且替代夹钳环之材料主要为钼。10.如申请专利范围第8项之方法,其中:沈积之涂覆材料包括金且替代夹钳环之材料主要为钼。11.如申请专利范围第8项之方法,其中:沈积之涂覆材料包括钽及金且替代夹钳环之材料主要为钼。12.一种飞溅系统,包括:一飞溅靶,系由一具有一给定之热膨胀系数之涂覆材料形成;及一晶圆托架具有一晶圆夹钳环,其中该环系由一具有一热膨胀系数大约相等于给定之热膨胀系数的材料形成。13.一种以飞溅涂覆一半导体晶圆之方法,包括下列步骤:以一夹钳环夹持一半导体晶圆,其中该环系由一具有一给定之热膨胀系数的材料形成;及使用一具有给定之热膨胀系数的材料飞溅涂覆受夹持之半导体晶圆。图式简单说明:第一图系应用本发明之原理之一半导体晶圆加工装置之一晶圆托架的背侧图。第二图系第一图之晶圆托架之分解透视图。第三图系用沿第一图之线3-3之剖面图,显示第一图及第二图之晶圆托架的一闩锁总成在特别有用于加工晶圆背侧时之配置。第四图系一种适合以物理气相沈积涂覆譬如沈积于一半导体晶圆上之一钽-钽-金(Ta-Ta-Au)复数层背侧薄膜的复数层于一半导体晶圆上之一半导体晶圆加工装置的局部剖面图。第五图系在使用第一图-第三图之晶圆托架的第四图之半导体晶圆加工装置中,沿第四图之线5-5的一飞溅涂覆加工室之剖面图。第六图系一图表,显示元件温度与加工时间之关系。第七图系类似于第三图之一剖面图,显示在清洁状态下之第一图-第三图之托架的一夹钳环。第七图A系类似于第七图之一剖面图,显示一不锈钢夹钳环在累积大约0.040英寸厚之钽质薄膜时的情形。第七图B系类似于第七图A之一剖面图,显示一钼质夹钳环在累积大约0.040英寸厚之钽质薄膜时的情形。 |
