| 主权项 |
1.一种减少由化学机械研磨法所造成晶片表面凹 陷的方法,可应用在一基底上,该基底之中形成有 复数个沟渠,该些沟渠中以及该基底上形成有一氧 化矽层,该方法包括: 使该氧化矽层表面进行一氮化反应,以形成一氮化 矽层;以及 进行一化学机械研磨步骤。2.如申请专利范围第1 项所述之减少由化学机械研磨法所造成凹陷的方 法,其中该氮化反应包括使用选自于由NH3.N2/H2.N2.NO 和N2O气体所组成之一氮化剂族群。3.如申请专利 范围第2项所述之减少由化学机械研磨法所造成凹 陷的方法,其中该氮化剂族群的流量约10-5000 sccm。 4.如申请专利范围第1项所述之减少由化学机械研 磨法所造成凹陷的方法,其中该氮化反应包括高温 氮化反应。5.如申请专利范围第1项所述之减少由 化学机械研磨法所造成凹陷的方法,其中该氮化反 应包括快速高温氮化反应。6.如申请专利范围第1 项所述之减少由化学机械研磨法所造成凹陷的方 法,其中该氮化反应包括使用含氮电浆处理该氧化 矽层的表面。7.如申请专利范围第6项所述之减少 由化学机械研磨法所造成凹陷的方法,其中供给该 含氮电浆之电力约400-3000瓦。8.如申请专利范围第 1项所述之减少由化学机械研磨法所造成凹陷的方 法,其中该氮化反应之温度约0-1100℃。9.一种减少 由化学机械研磨法所造成被研磨表面凹陷的方法, 可应用在一基底上,该基底上形成有若干元件,该 方法包括: 形成一第一绝缘层于该基底上; 使该绝缘层表面进行一化学反应,以形成一第二绝 缘层,且该第二绝缘层之硬度较该第一绝缘层大; 以及 进行一化学机械研磨步骤。10.如申请专利范围第9 项所述之减少由化学机械研磨法所造成凹陷的方 法,其中该化学反应包括一氮化反应。11.如申请专 利范围第10项所述之减少由化学机械研磨法所造 成凹陷的方法,其中该该氮化反应包括使用选自于 由NH3.N2/H2.N2.NO和N2O气体所组成之一氮化剂族群。 12.如申请专利范围第10项所述之减少由化学机械 研磨法所造成凹陷的方法,其中该氮化反应包括高 温氮化反应。13.如申请专利范围第10项所述之减 少由化学机械研磨法所造成凹陷的方法,其中该氮 化反应包括快速高温氮化反应。14.如申请专利范 围第10项所述之减少由化学机械研磨法所造成凹 陷的方法,其中该氮化反应包括使用含氮电浆处理 该第一绝缘层的表面。图式简单说明: 第一图A-第一图C是依照本发明较佳实施例的一种 减少由化学机械研磨法所造成被研磨表面凹陷方 法之流程剖面图。 |
