| 主权项 |
1.一种调整涂层过程之方法,该方法系将薄膜层涂 覆在具绕射结构之基板上,在此方法中,照在涂层 基板上之光束,在穿透后,量测其至少一个阶数绕 射光束之强度,并将之作为调整涂层厚度之实际値 。2.根据申请专利范围第1项所述之方法,其特征为 ,量测未绕射光束之强度。3.根据申请专利范围第1 项所述之方法,其特征为,量测未绕射及/或绕射光 束至少一个波长之强度。4.根据申请专利范围第3 项所述之方法,其特征为,同时量测多个波长之强 度。5.根据申请专利范围第1项所述之方法,其特征 为,量测穿透绕射光束之强度。6.根据申请专利范 围第1项所述之方法,其特征为,量测反射绕射光束 之强度。7.根据申请专利范围第1项所述之方法,其 特征为,量测反射及/或穿透光束之相对强度变化 。8.一种调整涂层过程之方法,此方法系用于调整 在基板上涂覆薄膜层之涂层过程,其特征为:照在 涂层基板上之光束,在其穿透及/或反射后,量测其 光谱分布。9.根据申请专利范围第8项所述之方法, 其特征为,量测光谱分布之强度及/或强度变化。10 .根据申请专利范围第8项所述之方法,其特征为,使 用雷射光束。11.根据申请专利范围第8项所述之方 法,其特征为,使用由非相干光源送出之光束。12. 根据申请专利范围第11项所述之方法,其特征为,非 相干光源是发光二极体,光谱灯,卤素灯,或热光源 。13.根据申请专利范围第8项所述之方法,其特征 为,光在光谱上被滤掉。14.根据申请专利范围第8 项所述之方法,其特征为,使用经验値作为调整之 目标値。15.根据申请专利范围第8项所述之方法, 其特征为,使用计算出之値作为调整之目标値。16. 根据申请专利范围第15项所述之方法,其特征为,穿 透基板及涂覆层之光束,以类似薄膜层之计算,局 部以周期结构之一个周期来加以计算。17.根据申 请专利范围第1项所述之方法,其特征为,基板是一 塑料碟片。18.根据申请专利范围第1项所述之方法 ,其特征为,欲涂覆之薄层系由彩色原料组成。19. 根据申请专利范围第1项所述之方法,其特征为,用 于制造光碟片(CD)。20.根据申请专利范围第1项所 述之方法,其特征为,用于制造可写入光碟片(CD-R) 。图式简单说明: 第一图CD-R用涂层基板之部份示意剖面图。 第二图本发明方法之示意图,用于CD-R制造,具预槽 几何形状的基板之涂层。 |
